| 发明名称 | 制造电可寻址的蓝宝石上硅光阀用的方法 | ||
| 摘要 | 一种在蓝宝石上硅结构上制造单片集成液晶阵列显示器及控制电路用的方法,包括以下步骤:a)在蓝宝石基片(30)上形成外延硅层(40),以产生蓝宝石上硅结构;b)离子注入所说外延硅层;c)退火所说蓝宝石上硅结构;d)氧化所说外延硅层,以由所说外延硅层的一部分形成二氧化硅层,从而留下减薄的外延硅层;e)去掉所说二氧化硅层,以暴露所说减薄的外延硅层;f)由所说减薄的外延硅层制造像素阵列(122);以及g)由所说减薄的外延硅层制造集成电路(124,126),该电路工作上被耦合以调制所说像素。该减薄的外延硅层适于制造被用于控制象素操作的器件的质量电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1299519A | 申请公布日期 | 2001.06.13 |
| 申请号 | CN99804330.3 | 申请日期 | 1999.03.24 |
| 申请人 | 兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 | 发明人 | 兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 |
| 分类号 | H01L21/84;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1．一种在蓝宝石上硅结构上制造单片集成液晶阵列显示器及控制电路用的方法，包括以下步骤：a)在蓝宝石基片上形成外延硅层，以产生蓝宝石上硅结构；b)离子注入所说外延硅层；c)退火所说蓝宝石上硅结构；d)氧化所说外延硅层，以由所说外延硅层的一部分形成二氧化硅层，从而留下减薄的外延硅层；e)去掉所说二氧化硅层，以暴露所说减薄的外延硅层；f)由所说减薄的外延硅层制造像素阵列；以及g)由所说减薄的外延硅层制造集成电路，该电路工作上被耦合以调制所说像素。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||