| 主权项 |
1.一种短矩无线电磁信号发射器,其包含下列装置:一第一定电压源,其系用以提供一第一电压値之定电压;一第二定电压源,其系用以提供一第二电压値之定电压;一三端受控制开关,其中第一端系电连接于该第二定电压源,而第二端系用以因应一控制信号之控制而使第一端与第三端处于一导通状态或一切断状态;一电荷储存装置,电连接于该第一定电压源与该第二定电压源,其系用以因应该第一定电压源与该第二定电压源间因电压差所产生之电流而充电;一振荡元件,电连接于该三端受控开关之第三端与该电荷储存装置之间,其系于该三端受控开关之第一端与第三端处于该导通状态时,用以因应该电荷储存装置之放电动作而储存能量,而于该三端受控开关之第一端与第三端回复至该导通状态时产生谐振而发出一短距无线电磁信号;以及一单向导通元件,逆向串接于由该第二定电压源经该三端受控开关、该振荡元件以及该电荷储存装置而接至该第一定电压源之电流路径上,其系用以防止该受控开关之逆向崩溃电流之产生。2.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一npn双载子接面电晶体所完成,其中射极端系电连接于该第二定电压源,而基极端系用以因应该控制信号之控制而使射极端与集极端处于该导通状态或该切断状态。3.如申请专利范围第2项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一电池,而该第二定电压源系为一接地点(Ground)。4.如申请专利范围第3项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。5.如申请专利范围第4项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器并联于一节点A与一节点B所构成,该节点A系电连接于该第一电容器,而该节点B系电连接于该npn双载子接面电晶体之集极端,又该第一电容器之电容値系大于该第二电容器之电容値,当该npn双载子接面电晶体之射极端与集极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该npn双载子接面电晶体之射极端与集极端回复至该导通状态时与该第二电容器产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。6.如申请专利范围第5项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。7.如申请专利范围第6项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点连接至该npn双载子接面电晶体射极端之电流路径上,用以防止该npn双载子接面电晶体之逆向崩溃电流之产生。8.如申请专利范围第6项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该npn双载子接面电晶体集极端连接至该节点B之电流路径上。9.如申请专利范围第6项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点A经该电荷储存装置连接至该电池之电流路径上。10.如申请专利范围第4项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该电池与该第一电容器之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。11.如申请专利范围第10项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。12.如申请专利范围第11项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第二极体系逆向串接于该振荡元件与该限流电阻之间。13.如申请专利范围第11项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该电池之之间。14.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一pnp双载子接面电晶体所完成,其中射极端系电连接于该第二定电压源,而基极端系用以因应该控制信号之控制而使射极端与集极端处于该导通状态或该切断状态。15.如申请专利范围第14项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一接地点(Ground),而该第二定电压源系为一电池。16.如申请专利范围第15项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。17.如申请专利范围第16项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器并联于一节点A与一节点B所构成,该节点A系电连接于该第一电容器,而该节点B系电连接于该pnp双载子接面电晶体之集极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该pnp双载子接面电晶体之射极端与集极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该pnp双载子接面电晶体之射极端与集极端回复至该导通状态时与该第二电容器产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。18.如申请专利范围第17项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。19.如申请专利范围第18项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该pnp双载子接面电晶体射极端连接至该电池之电流路径上,用以防止该pnp双载子接面电晶体之逆向崩溃电流之产生。20.如申请专利范围第18项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点B连接至该pnp双载子接面电晶体集极端之电流路径上。21.如申请专利范围第18项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点经该电荷储存装置连接至该节点A之电流路径上。22.如申请专利范围第16项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该接地点与该第一电容器之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。23.如申请专利范围第22项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。24.如申请专利范围第23项所述之短距无线电磁信号发射,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该振荡元件之间。25.如申请专利范围第23项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点与该限流电阻之间。26.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一N通道场效电晶体所完成,其中源极端系电连接于该第二定电压源,而闸极端系用以因应该控制信号之控制而使源极端与汲极端处于该导通状态或该切断状态。27.如申请专利范围第26项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一电池,而该第二定电压源系为一接地点(Ground)。28.如申请专利范围第27项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。29.如申请专利范围第28项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器并联于一节点A与一节点B所构成,该节点A系电连接于该第一电容器,而该节点B系电连接于该N通道场效电晶体之汲极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该N通道场效电晶体之源极端与汲极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该N通道场效电晶体之源极端与汲极端回复至该导通状态时与该第二电容器产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。30.如申请专利范围第29项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。31.如申请专利范围第30项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点连接至该N通道场效电晶体源极端之电流路径上,用以防止该N通道场效电晶体之逆向崩溃电流之产生。32.如申请专利范围第30项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该N通道场效电晶体汲极端连接至该节点B之电流路径上。33.如申请专利范围第30项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点A经该电荷储存装置连接至该电池之电流路径上。34.如申请专利范围第28项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该电池与该第一电容器之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。35.如申请专利范围第34项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。36.如申请专利范围第35项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该振荡元件与该限流电阻之间。37.如申请专利范围第35项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该电池之之间。38.如申请专利范围第26项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该N通道场效电晶体系为一N通道接面场效电晶体。39.如申请专利范围第26项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该N通道场效电晶体系为一N通道金氧半场效电晶体。40.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一P通道场效电晶体所完成,其中源极端系电连接于该第二定电压源,而闸极端系用以因应该控制信号之控制而使源极端与汲极端处于该导通状态或该切断状态。41.如申请专利范围第40项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一接地点(Ground),而该第二定电压源系为一电池。42.如申请专利范围第41项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。43.如申请专利范围第42项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器并联于一节点A与一节点B所构成,该节点A系电连接于该第一电容器,而该节点B系电连接于该P通道场效电晶体之汲极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该P通道场效电晶体之源极端与汲极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该P通道场效电晶体之源极端与汲极端回复至该导通状态时与该第二电容器产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。44.如申请专利范围第43项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。45.如申请专利范围第44项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该P通道场效电晶体源极端连接至该电池之电流路径上,用以防止该P通道场效电晶体之逆向崩溃电流之产生。46.如申请专利范围第44项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点B连接至该P通道场效电晶体汲极端之电流路径上。47.如申请专利范围第44项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点经该电荷储存装置连接至该节点A之电流路径上。48.如申请专利范围第42项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该接地点与该第一电容器之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。49.如申请专利范围第48项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。50.如申请专利范围第49项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该振荡元件之间。51.如申请专利范围第49项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点与该限流电阻之间。52.如申请专利范围第40项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该P通道场效电晶体系为一P通道接面场效电晶体。53.如申请专利范围第40项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该P通道场效电晶体系为一P通道金氧半场效电晶体。54.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其系应用于轮行器具中计程器之无线信号传输上。55.如申请专利范围第54项所述之短距无线电磁信号发射器,其所应用其上之轮行器具系为一自行车。56.如申请专利范围第1项所述之短距无线电磁信号发射器,其系应用于心跳检知器之无线信号传输上。57.一种短距无线电磁信号发射器,其包含下列装置:一第一定电压源,其系用以提供一第一电压値之定电压;一第二定电压源,其系用以提供一第二电压値之定电压;一三端受控开关,其中第一端系电连接于该第二定电压源,而第二端系用以因应一控制信号之控制而使第一端与第三端处于一导通状态或一切断状态;一电荷储存装置,电连接于该第一定电压源与该第二定电压源,其系用以因应该第一定电压源与该第二定电压源间因电压差所产生之电流而充电;一振荡元件,电连接于该三端受控开关之第三端、该电荷储存装置与该第二定电压源之间,其系于该三端受控开关之第一端与第三端处于该导通状态时,用以因应该电荷储存装置之放电动作而储存能量,而于该三端受控开关之第一端与第三端回复至该导通状态时产生谐振而发出一短距无线电磁信号;以及一单向导通元件,逆向串接于该第二定电压源连接至该三端受控开关、或该三端受控开关连接至该振荡元件、或该电荷储存装置连接至该第一定电压源之电流路径上,其系用以防止该受控开关之逆向崩溃电流之产生。58.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一npn双载子接面电晶体所完成,其中射极端系电连接于该第二定电压源,而基极端系用以因应该控制信号之控制而使射极端与集极端处于该导通状态或该切断状态。59.如申请专利范围第58项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一电池,而该第二定电压源系为一接地点(Ground)。60.如申请专利范围第59项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。61.如申请专利范围第60项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器串联于一节点B上所构成,该第二电容器串接至该接地点,而该电感器系以一节点A电连接于该第一电容器上,又该节点B系电连接于该npn双载子接面电晶体之集极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该npn双载子接面电晶体之射极端与集极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该npn双载子接面电晶体之射极端与集极端回复至该导通状态时与该第一电容器与该第二电容器之串接电容产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。62.如申请专利范围第61项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。63.如申请专利范围第62项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点连接至该npn双载子接面电晶体射极端、或该npn双载子接面电晶体集极端连接至该节点B、或该电荷储存装置连接至该电池之电流路径上,其系用以防止该npn双载子接面电晶体之逆向崩溃电流之产生。64.如申请专利范围第61项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该电池与该节点A之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。65.如申请专利范围第64项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。66.如申请专利范围第65项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点A与该限流电阻之间。67.如申请专利范围第65项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该电池之之间。68.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一pnp双载子接面电晶体所完成,其中射极端系电连接于该第二定电压源,而基极端系用以因应该控制信号之控制而使射极端与集极端处于该导通状态或该切断状态。69.如申请专利范围第68项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一接地点(Ground),而该第二定电压源系为一电池。70.如申请专利范围第69项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。71.如申请专利范围第70项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器串联于一节点B上所构成,该第二电容器串接至该电池,而该电感器系以一节点A电连接于该第一电容器上,又该节点B系电连接于该pnp双载子接面电晶体之集极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该pnp双载子接面电晶体之射极端与集极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该pnp双载子接面电晶体之射极端与集极端回复至该导通状态时与该第一电容器与该第二电容器之串接电容产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。72.如申请专利范围第71项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。73.如申请专利范围第72项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该pnp双载子接面电晶体射极端连接至该电池、或该节点B连接至该pnp双载子接面电晶体集极端、或该接地点连接至该电荷储存装置之电流路径上,其系用以防止该pnp双载子接面电晶体之逆向崩溃电流之产生。74.如申请专利范围第71项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该接地点与该节点A之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。75.如申请专利范围第74项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。76.如申请专利范围第75项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该节点A之间。77.如申请专利范围第75项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点与该限流电阻之间。78.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一N通道场效电晶体所完成,其中源极端系电连接于该第二定电压源,而闸极端系用以因应该控制信号之控制而使源极端与汲极端处于该导通状态或该切断状态。79.如申请专利范围第78项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一电池,而该第二定电压源系为一接地点(Ground)。80.如申请专利范围第79项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。81.如申请专利范围第80项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器串联于一节点B上所构成,该第二电容器串接至该接地点,而该电感器系以一节点A电连接于该第一电容器上,又该节点B系电连接于该N通道场效电晶体之汲极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该N通道场效电晶体之源极端与汲极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该N通道场效电晶体之源极端与汲极端回复至该导通状态时与该第一电容器与该第二电容器之串接电容产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。82.如申请专利范围第81项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。83.如申请专利范围第82项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点连接至该N通道场效电晶体源极端、或该N通道场效电晶体汲极端连接至该节点B、或该电荷储存装置连接至该电池之电流路径上,其系用以防止该N通道场效电晶体之逆向崩溃电流之产生。84.如申请专利范围第81项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该电池与该节点A之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。85.如申请专利范围第84项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。86.如申请专利范围第85项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该节点A与该限流电阻之间。87.如申请专利范围第85项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该电池之之间。88.如申请专利范围第78项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该N通道场效电晶体系为一N通道接面场效电晶体。89.如申请专利范围第78项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该N通道场效电晶体系为一N通道金氧半场效电晶体。90.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该三端受控开关系以一P通道场效电晶体所完成,其中源极端系电连接于该第二定电压源,而闸极端系用以因应该控制信号之控制而使源极端与汲极端处于该导通状态或该切断状态。91.如申请专利范围第90项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该第一定电压源系为一接地点(Ground),而该第二定电压源系为一电池。92.如申请专利范围第91项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置系包含一第一电容器,其系用以因应该电池输出之电流而储存能量。93.如申请专利范围第92项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该振荡元件系以一电感器与一第二电容器串联于一节点B上所构成,该第二电容器串接至该电池,而该电感器系以一节点A电连接于该第一电容器上,又该节点B系电连接于该P通道场效电晶体之汲极端,又该第一电容器之电容値系远大于该第二电容器之电容値,当该P通道场效电晶体之源极端与汲极端处于该导通状态时,该电感器系用以因应该第一电容器之放电动作而储存能量,而于该P通道场效电晶体之源极端与汲极端回复至该导通状态时与该第一电容器与该第二电容器之串接电容产生并联谐振而发出该短距无线电磁信号。94.如申请专利范围第93项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。95.如申请专利范围第94项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该P通道场效电晶体源极端连接至该电池、或该节点B连接至该P通道场效电晶体汲极端、或该接地点连接至该电荷储存装置之电流路径上,其系用以防止该P通道场效电晶体之逆向崩溃电流之产生。96.如申请专利范围第93项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该电荷储存装置更包含一限流电阻,电连接于该接地点与该节点A之间,用以限制该电池对该第一电容器进行充电所输出电流之额度。97.如申请专利范围第96项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该单向导通元件系以一二极体所完成。98.如申请专利范围第97项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该限流电阻与该节点A之间。99.如申请专利范围第97项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该二极体系逆向串接于该接地点与该限流电阻之间。100.如申请专利范围第90项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该P通道场效电晶体系为一P通道接面场效电晶体。101.如申请专利范围第90项所述之短距无线电磁信号发射器,其中该P通道场效电晶体系为一P通道金氧半场效电晶体。102.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其系应用于轮行器具中计程器之无线信号传输上。103.如申请专利范围第102项所述之短距无线电磁信号发射器,其所应用其上之轮行器具系为一自行车。104.如申请专利范围第57项所述之短距无线电磁信号发射器,其系应用于心跳检知器之无线信号传输上。图式简单说明:第一图:其系脚踏车计程器设于脚踏之配置示意图。第二图:其系一习用以无线方式传送之脚踏车计程器电路方块图。第三图:其系为第二图中用以产生并发射出短距电磁波信号之驱动电路与闭路天线之习用电路示例图。第四图:其系习用电路中开关信号、控制信号与振荡信号之波形示意图。第五图:其系第三图中电晶体之射极与集极间处于断路状态时之等效电路示意图。第六图:其系本案针对习用之驱动电路与闭路天线之缺失,所进一步发展出之较佳实施例电路方块示意图。第七图:其系本案实施例中开关信号、控制信号与振荡信号之波形示意图。第八图(a)(b)(c)(d):其系为以npn双载子接面电晶体Q1所分别完成之第一种实施例各类变化之电路示例图。第九图(a)(b)(c)(d)(e):其系为以pnp双载子接面电晶体Q2所分别完成之第一种实施例各类变化之电路示例图。第十图(a)(b)(c)(d):其系为以pnp双载子接面电晶体Q1所分别完成之第二种实施例各类变化之电路示例图。第十一图(a)(b)(c)(d):其系为以pnp双载子接面电晶体Q2所分别完成之第二类实施例各类变化之电路示例图。 |
