| 主权项 |
1.一种覆晶式发光二极体装置,包括一透光基板;一半导体堆叠结构,位于该透光基板之一主要表面,该堆叠结构包括邻接该主要表面之一n型之氮化镓III-V族化合物半导体层,和邻接该n型半导体层之一p型之氮化镓III-V族化合物半导体层;一第一电极,与该n型半导体层接触;以及一第二电极,与该p型半导体层接触;其特征在:该第二电极具有良好之光反射特性且覆盖该p型半导体层之大部分外表面。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该堆叠结构更包括一活化层界于该n型半导体层和该p型半导体层之间。3.如申请专利范围第1或2项之装置,其中更包括一绝缘保护层至少包覆于该堆叠结构之四周侧面、该第一电极之一部份及该第二电极之一部份。4.如申请专利范围第1或2项之装置,其中更包括一基座,其具有第一及第二导电区分别与该第一及第二电极相连。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该基座可为导电支架、玻璃支架、电路板或是薄膜电路等其中之一。6.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该第二电极可为透明导电层与铝或银之多层结构。7.如申请专利范围第1或2项之装置,其中该第二电极可为镍/金/钛/铝(Ni/Au/Ti/Al)、氧化铟锡/铝(ITO/A1)或氧化铟锡/银(ITO/Ag)等多层结构其中之一。8.一种覆晶式发光二极体装置,包括一透光基板;一半导体堆叠结构,位于该透光基板之一主要表面,该堆叠结构包括邻接该主要表面之一p型之氮化镓III-V族化合物半导体层,和邻接该p型半导体层之一n型之氮化镓III-V族化合物半导体层;一第一电极,与该n型半导体层接触;以及一第二电极,与该p型半导体层接触;其特征在:该第一电极具有良好之光反射特性且覆盖该n型半导体层之大部分外表面。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该堆叠结构更包括一活化层界于该n型半导体层和该p型半导体层之间。10.如申请专利范围第8或9项之装置,其中更包括一绝缘保护层至少包覆于该堆叠结构之四周侧面、该第一电极之一部份及该第二电极之一部份。11.如申请专利范围第8或9项之装置,其中更包括一基座,其具有第一及第二导电区分别与该第一及第二电极相连。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该基座可为导电支架、玻璃支架、电路板或是薄膜电路等其中之一。13.如申请专利范围第8或9项之装置,其中该第一电极可为透明导电层与铝或银之多层结构。14.如申请专利范围第8或9项之装置,其中该第一电极为钛/铝(Ti/A1)、钛/银(Ti/Ag)、氧化铟锡/铝(ITO/A1)或氧化铟锡/银(ITO/Ag)等多层结构其中之一。图式简单说明:第一图为习知之氮化镓系列之发光二极体装置的截面示意图第二图为习知之覆晶式氮化镓系列之发光二极体装置的截面示意图第三图为依据本创作之一实施例的发光二极体截面示意图第四图为第三图之发光二极体以覆晶方式结合于一基座之示意图 |
