闸极的制造方法

摘要

一种闸极的制造方法系为提供一具有隔离区域之基底，之后形成一层覆盖氧化层于基底上，于此覆盖氧化层上定义出闸极结构的位置，利用一连串蚀刻步骤形成一T形开口接着形成一闸氧化层于T形开口底部，再形成一多晶矽层填满T形开口;进行一蚀刻步骤将覆盖氧化层移除，以于闸极结构两侧形成间隙壁，在进行另一蚀刻步骤将基底表面未蚀刻乾净之氧化物清除，最后于矽基底及多晶矽层表面上形成金属矽化物。

主权项

1.一种闸极的制造方法,至少包括:提供一基底,于该基底上进行一浅沟渠隔离制程;形成一覆盖氧化层于该基底上;进行一低蚀刻率的湿式蚀刻形成一底切;进行一乾式蚀刻;进行一低蚀刻率的湿式蚀刻,以形成一T形开口底部与该基底连接;形成一闸氧化层及一多晶矽层将将该T形开口填满,形成一闸极结构;去除该覆盖氧化层以形成一间隙壁;以及于该基底及该多晶矽层表面形成金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层材质比如为Si3N4。3.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层之厚度与该闸极结构之厚度一致。4.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该底切之宽度与该间隙壁之宽度一致。5.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该闸氧化层形成方式比如为高温氧化法。6.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该去除覆盖氧化层之步骤为一乾式等向性蚀刻。7.如申请专利范围第1项所述闸极之制造方法,其中该低蚀刻率的湿式蚀刻步骤采用氧化矽对系基底高蚀刻选择性之蚀刻剂进行蚀刻。8.一种闸极的制造方法,至少包括:提供一基底,于该基底上进行一浅沟渠隔离制程;形成一覆盖氧化层于该基底上;进行一低蚀刻率的湿式蚀刻形成一底切;进行一乾式蚀刻;进行一低蚀刻率的湿式蚀刻,以形成一T形开口底部与该基底连接;形成一闸氧化层及一多晶矽层将将该T形开口填满;以及去除该覆盖氧化层以形成一间隙壁。9.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层材质比如为Si3N4。10.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层之厚度与该闸极结构之厚度一致。11.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该底切之宽度与该间隙壁之宽度一致。12.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该闸氧化层形成方式比如为高温氧化法。13.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该去除覆盖氧化层之步骤为一乾式等向性蚀刻。14.如申请专利范围第8项所述闸极之制造方法,其中该低蚀刻率的湿式蚀刻步骤采用氧化矽对系基底高蚀刻选择性之蚀刻剂进行蚀刻。15.一种闸极的制造方法,至少包括:提供一基底,于该基底上进行一浅沟渠隔离制程;形成一覆盖氧化层于该基底上;进行一低蚀刻率的湿式蚀刻形成一底切;进行一乾式蚀刻,以形成一T形开口底部与该基底连接;形成一闸氧化层及一多晶矽层将将该T形开口填满,形成一闸极结构;以及去除该覆盖氧化层以形成一间隙壁。16.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层材质比如为Si3N4。17.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该覆盖氧化层之厚度与该闸极结构之厚度一致。18.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该底切之宽度与该间隙壁之宽度一致。19.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该闸氧化层形成方式比如为高温氧化法。20.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该去除覆盖氧化层之步骤为一乾式等向性蚀刻。21.如申请专利范围第15项所述闸极之制造方法,其中该低蚀刻率的湿式蚀刻步骤采用氧化矽对系基底高蚀刻选择性之蚀刻剂进行蚀刻。图式简单说明:第一图至第八图所绘示为一般习知中闸极间隙壁的形成方法流程剖面图。第九图至第十七图所绘示为依照本发明一较佳实施例的流程剖面图。