| 主权项 |
1.一种半导体雷射二极体,此半导体雷射二极体具有两对立之侧边,当将一电流作为到一电极上时,雷射可经一波导在此对立边振荡,其中在至少一侧边上,以相对于波导一特定的角度形成一垂直的镜表面,垂直的镜表面包含至少两个对称侧,其功能系可令在半导体雷射二极体内产生的雷射光可全反射到波导中。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中以相对于雷射波导为临界角或大临界角的角度形成该垂直镜表面,使得在半导体雷射二极体内产生全反射的雷射光。3.如申请专利范围第2项之半导体雷射二极体,其中垂直镜表面的一侧呈70度角或更大的角度。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中在该垂直镜表面的中心区域有一垂直该雷射波导的雷射释出面。5.如申请专利范围第4项之半导体雷射二极体,其中该雷射释出表面的宽度比该电极窄。6.如申请专利范围第4项之半导体雷射二极体,其中该垂直镜表面包含第一垂直镜表面及第二垂直镜表面,此两镜表面位在该两侧边,由此发射出雷射使用及监视用之光,且在该第一及第二镜表面中至少一面上形成该雷射释出面。7.如申请专利范围第6项之半导体雷射二极体,其中在该第一垂直镜表面上形成的雷射释出面的宽度宽于在该第二垂直镜表面上形成者的宽度。8.如申请专利范围第7项之半导体雷射二极体,其中在该第一垂直镜表面上形成之雷射释出面的宽度为0.1m或更宽,且在该第二垂直镜表面上形成之雷射释出面的宽度为0或大于0。9.如申请专利范围第8项之半导体雷射二极体,其中该电极的宽度介于0.5全100m。10.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该雷射波导的宽度介于1到150m之间。11.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该垂直镜表面的宽度比雷射波导宽。12.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该半导体雷射二极体系基于GaN,ZnSe或AlGaInP。图式简单说明:第一图A及第一图B示依据习知技术之半导体雷射二极体;第二图示第一图A及第一图B中使用的雷射波导;第三图示具有由多层介质薄膜制造之镜表面的传统半导体雷射二极体;第四图A及第四图B示在依据本发明之半导体雷射二极体中,一镜表面上入射光束的全反射原理;第五图示依据本发明之半导体雷射二极体的结构;第六图A示依据本发明在一A1203上制造之具有全反射镜表面的半导体雷射二极体的结构;第六图B示依据本发明,在一GaN或SiC基体上制造之具有全反射镜表面的半导体雷射二极体之结构;第七图,第八图,及第九图依序显示本发明之另一实施例。 |
