| 摘要 |
본 발명은 ArF 엑시머 레이저, EUV광, 전자선 등의 고에너지선을 광원으로 한 포토리소그래피에 있어서, 고해상성 또한 LER이 우수한 레지스트 재료로서 이용할 수 있는 술포늄염, 그 술포늄염으로부터 얻어지는 고분자 화합물, 그 고분자 화합물을 함유하는 레지스트 재료 및 그 레지스트 재료를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하기 화학식 (1)로 표시되는 술포늄염을 제공한다.(식 중, X, Y는 중합성 관능기를 갖는 기를 나타내며, Z는 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 33의 2가의 탄화수소기를 나타내며, R은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 36의 2가의 탄화수소기를 나타내며, R및 R은 각각 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 30의 1가의 탄화수소기를 나타내거나, 또는 R및 R이 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성할 수도 있음) |
