| 主权项 |
1.一种直立的npn双载子电晶体,形成在一p型基底中,包括:一深层n井,形成在该p型基底之中;一埋藏的n+层,形成在该深层n井之中;-p井,形成在该深层n井之中和该埋藏的n+层之上;一隔离结构,围绕着该p井和从该基底的表面扩散到比该p井更低的位置;一n+结构,形成在该p井之中;以及一闸极形成在该p井之上,从该基底用一薄氧化层隔开该闸极,而且该闸极延伸覆盖至少该n+结构的一部份区域。2.如申请专利范围第1项所述之直立的npn双载子电晶体,其中该埋藏的n+层使用一高能量植入而形成的,以致于该埋藏的n+层具有一掺杂浓度高于该p井。3.如申请专利范围第1项所述之直立的npn双载子电晶体,其中该电晶体导通是由:偏压该深层n井到0伏特;偏压该闸极仅到0伏特;离开该p井并且悬浮在上;以及偏压该n+结构至一正电压。4.如申请专利范围第1项所述之直立的npn双载子电晶体,其中该电晶体关闭是由:偏压该深层n井到0伏特;偏压该闸极到+Vcc;离开该p井并且悬浮在上;以及偏压该n+结构为一正电压。5.如申请专利范围第1项所述之直立的npn双载子电晶体,其中该隔离结构是一渠道隔离。6.一种直立的pnp双载子电晶体,形成在一p型半导体基底中,包括:一埋藏的P+层,形成在该基底之中;一n井,形成在该p型基底之中和该埋藏的P+层之上;一隔离结构,围绕着该n井和从该基底的表面扩散到比该n井更低的位置;一P+结构,形成在该n井之中;以及一闸极,形成在该n井之上,从该基底用一薄氧化层隔开该闸极,而且该闸极延伸覆盖至少该P+结构的一部份区域。7.如申请专利范围第6项所述之直立的pnp双载子电晶体,其中该埋藏的P+层使用一高能量植入而形成的,以致于该埋藏的P+层具有一掺杂浓度高于该深层n井。8.如申请专利范围第6项所述之直立的pnp双载子电晶体,其中该电晶体导通是由:偏压该p型基底到0伏特;偏压该闸极至大于或等于0伏特;离开该n井并且悬浮在上;以及偏压该P+结构至一负电压。9.如申请专利范围第6项所述之直立的pnp双载子电晶体,其中该电晶体关闭是由:偏压该p型基底到0伏特;偏压该闸极到-Vss;离开该n井并且悬浮在上;以及偏压该P+结构至一负电压。10.如申请专利范围第6项所述之直立的pnp双载子电晶体,其中该隔离结构是一渠道隔离。图式简单说明:第一图绘示的是习知半导体基底之剖面图,其显示寄生双载子电晶体在双井和三井结构中;第二图绘示的是依照本发明之半导体基底之剖面图,其显示形成有一个npn直立的双载子电晶体;第三图绘示的是第二图npn双载子电晶体之直立的掺杂剖面之定性图;第四图绘示的是在导通操作期间第二图双载子电晶体的详细图;第五图绘示的是依照本发明之半导体基底之剖面图,其显示形成有一个pnp直立的双载子电晶体;以及第六图绘示的是在导通操作期间第五图双载子电晶体的详细图。 |
