| 主权项 |
1.一种在多层陶瓷载体上之晶片模组尤其是多晶片模组的散热装置,其中在陶瓷载体中设有通道以供导热介质通过,其特征在:该多层陶瓷载体(2)设在一金属冷却体(1)上,该多层陶瓷载体(2)之最上层(L1)中在所要装晶片(3)的区域中设有热通道(6),尤其是呈孔图形或孔列形式者,在该层下方的多层陶瓷载体(2)的次一层(L2)中在所要装设之晶片(3)的区域中设有一空腔(7),当作蒸发室之用,在该金属冷却体(1)中在所要装设之晶片(3)的区域中设有一盆形凹隙(8),当作冷凝器之用,该位于蒸发室(7)与冷凝器(8)之间的多层陶瓷载体(2)的层(L3)-(L7)在此空间的区域设有多数大面积的蒸气流道(DK1)-(DKn)及小面积毛细管作用的冷凝液流道(KK0)-(KKn),这些流道将该二空间互相连接。2.如申请专利范围第1项之装置,其中:该多层陶瓷载体(2)上可设多数晶片(3),尤其是产生相当多之能量损失热的功率IC。3.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:各设在多层陶瓷载体(2)中当冷凝器用的盆形凹隙(8)设有一个可封闭的充填开口(9),用来充入一种导热的介质。4.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:该大面积的蒸气流道(DK1)-(DKn)与小面积的冷凝液流道(KK0)-(KKn)系做成在多层陶瓷载体(2)的相关层(L3)-(L7)之间的直流道形式。5.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:这些小面积之冷凝液流道(KK0)-(KKn)中至少有一些系设计成倾斜角流道形式,这些倾斜角流道至少有个部分区域在该多层陶瓷载体(2)的平面或数层(L3)-(L7)中延伸。6.如申请专利范围第5项之装置,其中:该冷凝液流道(KK0)-(KKn)在一层之平面延伸的部分系用印刷制成,其中该流道之对应部分用碳糊印刷,它在以后烧掉以制成部分流道,在者把该流道对应部分利用冲压或铣出或镌印在未燃烧之陶瓷材料中(尤其是在陶瓷带中)做出。7.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:该大面积之蒸气流道(DK1)-(DKn)直径约1.5mm,而小面积的冷凝液流道(KK0)-(KKn)直径约0.1mm。8.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:该小面积的冷凝液流道(KK0)-(KKn)用多孔隙之陶瓷粉或在所用燃烧温度不会烧结之金属烧结粒充填。9.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:该大面积之蒸气流道(DK1)-(DKn)在该设在金属冷却体(1)中的冷凝室(8)的区域中的直径或通过面积小于在多层陶瓷载体(2)其他隔开之层(L6)-(L3)中所设之蒸气通道的通过面积。10.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:有一种液体当做导热工作液,它在适当之蒸发温度有尽量高的蒸发热,且具有毛细管所需之高表面张力之润湿角度,特别是醇类与烃类。11.如申请专利范围第1或第2项之装置,其中:该晶片(3)可利用一种适当之导热粘胶(5)固定在该多层陶瓷载体(2)上,且/或该多层陶瓷载体(2)可利用一适当导热粘胶(4)固定在该金属冷却体(1)上。图式简单说明:第一图系在XY平面的一切面示意图,显示一多层陶瓷载体的切面,它系设在一金属冷却体上,且有一晶片或一功率IC装到该载体上。 |
