发明名称 离子布植机之离子流量控制装置
摘要 本创作揭露一种离子布植机之离子流量控制装置,所述离子流量控制装置包含一底板、一承轴、一冷却板、以及一法拉第腔,其中所述法拉第腔包含一横剖面为长方形的本体及至少一个阻挡板,并连接至一校正电路。本创作的重点在于,所述法拉第腔更包含一可拆卸及更换的遮蔽框,其安装于所述本体内,横剖面为长方形且两端开口,且其外壁紧贴于所述本体的内壁上。
申请公布号 TW450424 申请公布日期 2001.08.11
申请号 TW089213122 申请日期 2000.07.28
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 杨奇宪;曾华仁;李俊杰;陈致豪
分类号 H01L21/425 主分类号 H01L21/425
代理机构 代理人 李长铭 台北巿中山区南京东路二段二十一巷八号二楼
主权项 1.一种离子布植机之离子流量控制装置,所述离子流量控制装置包含一底板、一承轴、一冷却板、以及一法拉第腔,其中所述法拉第腔包含一本体及至少一个阻挡板,并连接至一校正电路;其特征在于,所述法拉第腔更包含一可拆卸及更换的遮蔽框,其安装于所述本体内,两端开口,且其外壁紧贴于所述本体的内壁上。2.如申请专利范围第1项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框更包含一前板,所述前板上具有至少一个固定装置,便于将所述遮蔽框固定在所述法拉第腔上。3.如申请专利范围第2项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述固定装置系螺丝孔,使所述遮蔽框可以藉由螺丝穿过所述螺丝孔而固定在所述法拉第腔上。4.如申请专利范围第1项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框系以石墨所构成。5.如申请专利范围第1项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的厚度介于0.2公分至2公分之间。6.如申请专利范围第1项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的厚度为0.5公分。7.如申请专利范围第1项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的深度系使得将所述遮蔽框安装在所述本体的内壁上时,遮蔽框正好紧贴于所述阻挡板上。8.一种离子布植机之离子流量控制装置,所述离子流量控制装置包含一底板、一承轴、一冷却板、以及一法拉第腔,其中所述法拉第腔包含一横剖面为长方形的本体及至少一个阻挡板,并连接至一校正电路;其特征在于,所述法拉第腔更包含一可拆卸及更换的遮蔽框,其安装于所述本体内,其横剖面为长方形且两端开口,其四面外壁皆紧贴于所述本体的内壁上。9.如申请专利范围第8项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框更包含一前板,所述前板上具有至少一个固定装置,便于将所述遮蔽框固定在所述本体上。10.如申请专利范围第9项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述固定装置系螺丝孔,使所述遮蔽框可以藉由螺丝穿过所述螺丝孔而固定在所述本体上。11.如申请专利范围第8项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框系以石墨所构成。12.如申请专利范围第8项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的厚度介于0.2公分至2公分之间。13.如申请专利范围第8项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的厚度为0.5公分。14.如申请专利范围第8项之离子布植机之离子流量控制装置,其中所述遮蔽框的深度系使得将所述遮蔽框安装在所述本体的内壁上时,遮蔽框正好紧贴于所述阻挡板上。图式简单说明:第一图系习知技术中离子布植机的结构示意图。第二图系为习知技艺之离子流量控制模组的立体示意图。第三图系习知技艺之离子流量控制模组的侧面示意图。第四图系本创作中离子布植机之离子流量控制装置的侧面示意图。第五图系本创作之遮蔽框的立体图。
地址 新竹科学工业园区力行路十九号