| 主权项 |
1.一种定义虚拟层图案的方法,该方法包括下列步骤:定义出一元件层与一相关元件层,而该相关元件层系为该元件层的周缘结构;取元件层、相关元件层与两者在设计准则所允许的区域三者的联集,定义出一非虚拟区;根据该非虚拟区,定义出一虚拟区,该虚拟区分割成复数个虚拟区块;提供一已知的明暗比値;以及根据该已知的明暗比値,进行一计算步骤,决定该虚拟区的大小与密度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括在取该元件层以及该相关元件层的联集之前,先将该元件层以及该相关元件层作尺寸加大(sizing)的动作。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件层包括一主动区域。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该相关元件层包括一井、一多晶矽闸极与一接触窗。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件层包括一低层金属层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该相关元件层包括一接触窗与一金属介层窗。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件层包括一高层金属层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该相关元件层包括一金属介层窗。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该已知的明暗比値系为该元件层中元件面积与非元件面积的比値。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该计算步骤包括:定义该虚拟区块的长度与宽度,得到一长度値与一宽度値;定义一未知参数値;引进一计算公式,该计算公式系为:该已知的明暗比値=(该长度値-该未知参数値)(该宽度値-该未知参数値) / [该长度値该宽度値-(该长度値-该未知参数値)(该宽度値-该未知参数値)];以及根据该计算公式,计算出该未知参数値,使得该虚拟区块中分成一空白区与一黑暗区,只有在该黑暗区形成该虚拟层。11.一种定义虚拟层图案的方法,该方法包括下列步骤:在该半导体基底上定义一元件层与一相关元件层,该相关元件层系为该元件层的周缘结构;取元件层、相关元件层与两者在设计准则所允许的区域三者的联集,定义出一非虚拟区;利用该非虚拟区,定义出一虚拟区,该虚拟区分割成复数个第一虚拟区块与复数个第二虚拟区块,其中每个该第一虚拟区块的大小尺寸约相同,每个该第二虚拟区块的大小尺寸约相同;提供一已知的明暗比値;以及利用该已知的明暗比値,进行一计算步骤,用以决定该虚拟区的大小与密度,该计算步骤包括:定义该第一虚拟区块的长度与宽度,得到一第一长度値与一第一宽度値;定义一第一参数値;引进一计算公式,该计算公式系为:该已知的明暗比値=(该长度値-该第一参数値)(该宽度値-该第一参数値)/[该长度値该宽度値-(该长度値-该第一参数値)(该宽度値-该第一参数値)];以及根据该计算公式,计算出该第一参数値,使得该第一虚拟区块中分成一第一空白区与一第一黑暗区,只有在该第一黑暗区形成该虚拟层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中更包括在取该元件层以及该相关元件层的联集之前,先将该元件层以及该相关元件层作尺寸加大(sizing)的动作。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该元件层包括一主动区域。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该相关元件层包括一井、一多晶矽闸极与一接触窗。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该元件层包括一低层金属层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该相关元件层包括一接触窗与一金属介层窗。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该元件层包括一高层金属层。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该相关元件层包括一金属介层窗。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该已知的明暗比値系为该元件层中元件面积与非元件面积的比値。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中更包括下列步骤:定义该第二虚拟区块的长度与宽度,得到一第二长度値与一第二宽度値;定义一第二参数値;根据该计算公式:该已知的明暗比値=(该第二长度値-该第二参数値)(该第二宽度値-该第二参数値)/[该第二长度値该第二宽度値-(该第二长度値-该第二参数値)(该第二宽度値-该第二参数値)];以及根据该计算公式,计算出该第二参数値,使得该第二虚拟区块中分成一第二空白区与一第二黑暗区,只有在该第二黑暗区形成该虚拟层。图式简单说明:第一图绘示根据本发明之一较佳实施例,一种定义虚拟层图案的流程示意图;第二图A与第二图B绘示根据本发明之一较佳实施例,一种定义虚拟层图案的方法之俯视示意图;以及第三图绘示根据本发明之另一较佳实施例,一种虚拟层图案的俯视示意图。 |
