发明名称 气体输送计量管及使用该计量管之气体输送计量装置
摘要 提供一种气体输送管。气体输送管包含多数之轴向排列聚集管,其中,最内部管承接一气体且在最内部管之长度上方建立均匀之托持压力,且一最外部管提供通过气体输送管离开之均匀流动分布的气体。
申请公布号 TW452635 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW089106456 申请日期 2000.04.07
申请人 矽谷集团热系统有限责任公司 发明人 尼廷 伊格;迪 史达德;姚志挈;尚恩 汉弥顿;杨丽雅;安东尼 迪萨
分类号 F17D3/18 主分类号 F17D3/18
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种气体输送计量管,用以输送一气体,包括:至少一最内部及最外部轴向排列聚集之管,具有一有效环隙被形成在该至少一最内部及最外部聚集管之间;一或更多之孔口阵列,被形成在每一该至少一最内部与最外部聚集管中,且沿着每一该管之实质上的长度延伸;其中,一实质上的均匀托持压力系沿着最内部管之实质上的长度而于其内产生,因而,促进实质上地均匀输送气体沿着最外部管之实质上的长度而自最外部管中的孔口离开。2.如申请专利范围第1项之气体输送计量管,其中,有效环隙具有一有效直径Deff且最内部管具有一内部直径Din,且Deff与Din均在互相之三因素中的一因素内。3.如申请专利范围第1项之气体输送计量管,其中,最内部管具有下列特性:L/D<70D/d->10Naport/Atube-≦1其中,L系最内部管之长度且D系其之直径,d系在该最内部管内之该孔口阵列中的一孔口之直径,N系在最内部管内之孔口量,Naport系每一该孔口之横剖面区域,且Atube系该最内部管之区域;及最外部管具有下列特性:Deff与Din均在互相之三因素中的一因素内Surface Areaouter/NAouter-10或更多其中,Deff系有效环隙,Surface Areaouter系最外部管之表面区域,且Naouter系在最外部管内之所有孔口之全部横剖面区域。4.如申请专利范围第2或3项之气体输送计量管,其中,Deff系大约地相等于Din。5.如申请专利范围第1项之气体输送计量管,其中,最外部管之表面区域与形成在该最外部管中之孔口的全部横剖面区域之比率,系相等或大于大约10。6.如申请专利范围第5项之气体输送计量管,其中,该比率系大于100。7.如申请专利范围第1或3项之气体输送计量管,其中,该计量管系被使用在化学蒸汽沈淀系统内。8.如申请专利范围第1项之气体输送计量管,其中,最内部管具有一长度及一直径,且长度与直径之比率系在大约地小于70之范围内。9.如申请专利范围第1或3项之气体输送计量管,其中,聚集管均为圆筒形成或矩形之形态。10.一种气体输送计量装置,包含如申请专利范围第1或3项之气体输送计量管,及具有供承接该气体输送计量管之用的至少一口之至少一喷射器组件。11.一种气体输送计量装置,包含如申请专利范围第1或3项之气体输送计量管,及具有供承接该气体输送计量管之用的至少一充气室之至少一罩组件。图式简单说明:第一图系在习知技术中使用之一单一管内之气流的横剖面图。第二图系当压力为低的时,在习知技术中使用之一单一管内之气流的横剖面图。第三图a与第三图b均为概略示意图,显示习知技术之气流不均匀性。第四图系一图表,显示沿着多种形式之管之长度分布之气流。第五图系本发明之气体输送管之横部面图。第六图a与第六图b系依据本发明之二实施例之气体输送管的横剖面端视图。第七图系一CVD沈淀室之范例的横剖面图,显示可应用本发明之气体输送管的一保护罩及一喷射器。第八图系一喷射器之范例的横剖面图,其可应用本发明之气体输送管。
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