| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含:在形成基板之配线图案的面,及形成半导体元件之电极的面之间,间隔黏着剂之第1步骤;在上述半导体元件与上述基板之间外加能源,电气导通上述配线图案与上述电极,使上述黏着剂在从上述半导体元件露出的状态下,于上述半导体元件之接触领域中发现上述黏着剂之黏着能的第2步骤;及,对于与上述黏着剂之上述半导体元件的接触领域以外的领域外加能源之第3步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂为热硬化性者,上述第2步骤所外加之上述能源为压力及热,上述第3步骤所外加之上述能源为热者,根据上述,黏着剂系于半导体元件之接触领域中硬化。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂上分散有导电粒子,藉上述导电粒子电气导通上述配线图案与上述电极者。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中于上述第1步骤前,将上述黏着剂预先设置在形成上述半导体元件之上述电极的上述面上。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中于上述第1步骤前,将上述黏着剂预先设置在形成上述基板之上述配线图案的面上。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中外加上述第3步骤能源的领域是在上述黏着剂中,位于上述第2步骤中未完成硬化部份的领域中。7.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第3步骤以加热型架加热上述黏着剂者。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中系于上述加热架与上述黏着剂间,间隔与上述黏着剂之脱模性高的脱模性使上述黏着剂加热者。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中系于上述加热型架上设置上述脱模层。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中系于上述黏着剂上设置上述脱模层。11.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第3步骤中,以非接触外加能源于上述黏着剂者。12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系包含将上述配线图案所连接之焊球形成于上述基板时的回流步骤,藉上述回流步骤进行上述第3步骤者。13.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中除上述半导体元件之外,并包含将电子零件导电连接上述配线图案时的回流步骤,可藉上述回流步骤进行上述第3步骤者。14.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第3步骤之后,在与上述黏着剂之上述半导体元件的接触领域以外的领域切断上述基板。15.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第2步骤,使上述黏着剂至少包围上述半导体元件侧面的一部份。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂是以大于上述第2步骤完成后之上述半导体元件与上述基板间隔的厚度设于上述第1步骤前,并在上述第2步骤于上述半导体元件与上述基板之间加压而自上述半导体元件外露者。17.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂为含有遮光性材料。18.一种半导体装置之制造方法,包含:形成基板之配线图案的面,及形成半导体元件之电极的面间,间隔黏着剂之第1步骤;电气导通上述配线图案与上述电极,使上述黏着剂在从上述半导体元件露出的状态下,使上述黏着剂之至少位于上述半导体元件与上述基板之间的部份硬化的第2步骤;及,从上述黏着剂之上述半导体元件外露出之领域中,切断上述基板之第3步骤。19.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂为热硬化性黏着剂,可藉上述第2步骤加热于上述黏着剂者。20.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂为热硬化性黏着剂,可藉上述第2步骤冷却上述黏着剂者。21.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂上分散有导电粒子,藉上述导电粒子电气导通上述配线图案与上述电极者。22.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第1步骤前,将上述黏着剂预先设置在形成上述半导体元件之上述电极的上述面上。23.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第1步骤前,将上述黏着剂预先设置在形成上述基板之上述配线图案的面上。24.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中上述第3步骤之切断位置系于上述基板之上述配线图案端部较外侧的领域。25.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第3步骤使上述黏着剂整体硬化,在上述第3步骤切断硬化之上述黏着剂者。26.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中系于上述第2步骤,使上述黏着剂至少包围上述半导体元件侧面的一部份。27.如申请专利范围第26项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂是以大于上述第2步骤完成后之上述半导体元件与上述基板间隔的厚度,设于上述第1步骤前,并在上述第2步骤于上述半导体元件与上述基板之间加压而自上述牛导体元件外露者。28.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,其中上述黏着剂为含有遮光性材料。29.一种半导体装置,其特征为,具备:有电极之半导体元件;形成配线图案的基板;及,热硬化性黏着剂,电气导通上述电极与上述配线图案,上述黏着剂系间隔于形成上述基板之上述配线图案的面,与形成上述半导体元件之上述电极的面之间,以自上述半导体元件外露的大小设置使其整体硬化者。30.如申请专利范围第29项之半导体装置,其中系于上述黏着剂上分散导电粒子,构成各向异性导电材料。31.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中上述各向异性导电材料系覆盖上述配线图案整体设置者。32.如申请专利范围第29项之半导体装置,其中上述黏着剂系覆盖上述半导体元件侧面之一部份者。33.如申请专利范围第29项之半导体装置,其中上述黏着剂系含有遮光性材料。34.一种半导体装置,包含:在形成基板之配线图案的面,及形成半导体元件之电极的面之间,间隔黏着剂之第1步骤;在上述半导体元件与上述基板之间外加能源,电气导通上述配线图案与上述电极,使上述黏着剂在从上述半导体元件露出的状态下,于上述半导体元件之接触领域中发现上述黏着能的第2步骤;及对于上述黏着剂之上述半导体元件的接触领域以外的领域外加能源之第3步骤。35.一种电路基板,其特征为,具备:有电极之半导体元件;形成配线图案的基板;及,热硬化性黏着剂,电气导通上述电极与上述配线图案,上述黏着剂系间隔于形成上述基板之上述配线图案的面,与形成上述半导体元件之上述电极的面之间,以自上述半导体元件外露的大小设置使其整体硬化者。36.一种电子机器,其特征为,具备:有电极之半导体元件;形成配线图案的基板;及,热硬化性黏着剂,电气导通上述电极与上述配线图案,上述黏着剂系间隔于形成上述基板之上述配线图案的面,与形成上述半导体元件之上述电极的面之间,以自上述半导体元件外露的大小设置使其整体硬化者。图式简单说明:第一图A-第一图D是表示第1实施形态之半导体装置的制造方法图,第二图A及第二图B是表示第1实施形态之变形例图,第三图A及第三图B是表示第2实施形态之半导体装置的制造方法图,第四图A及第四图B是表示第3实施形态之半导体的制造方法图,第五图A及第五图B是表示第4实施形态之半导体装置的制造方法图,第六图是表示黏着本实施形态之半导体装置的电路基板图,第七图是表示具备黏着本实施形态之半导体装置的电路基板之电子机器图。 |
