| 主权项 |
1.一种高速记忆体装置中接收外部资料选通信号并能产生内部资料选通信号以供写入操作使用之装置,包含:第一缓冲装置,由一触发信号启动,用于接收具有一连续串列脉波之外部资料选通信号,并且输出具有一连续串列脉波之第一内部资料选通信号,第一内部资料选通信号之各脉波对应于外部资料选通信号之各脉波之上升边缘,以及第二缓冲装置,由触发信号启动,用于接收具有一连续串列脉波之外部资料选通信,并且输出具有一连续串列脉波之第二内部资料选通信号,第二内部资料选通信号之各脉波系对应于外部资料选通信号之各脉波之下降边缘,其中依外部资料选通信各脉波上升边缘而得之第一内部资料选通信号之对应脉波之延迟在实质上系相等于依外部资料选通信号之各脉波之下降边缘而得之第二内部资料选通信号之对应脉波之延迟。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一缓冲装置含有:第一电平调节及反相装置,由触发信号启动,用于接收一参考电压及外部资料选通信号,并输出第一电平调节及反相后之资料选通信号;第一控制装置,用于接收触发信号及第一电平调节及反相后之资料选通信号,以产生第一启始受控资料选通信号;及第一输出装置,用于接收第一电平调节及反相后之资料选通信号及第一启始受控资料选通信号,以产生第一内部资料选通信号。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该第二缓冲装置含有:第二电平调节及反相装置,由触发信号启动,用于接收一参考电压及外部资料选通信号,并输出第二电平调节及反相后之资料选通信号;第二控制装置,用于接收触发信号及第二电平调节及反相后之资料选通信号,以产生第二启始受控资料选通信号;及第二输出装置,用于接收第二电平调节及反相后之资料选通信号及第二启始受控资料选通信号,以产生第二内部资料选通信号。4.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一电平调节及反相装置含有:第一差动放大器,用于接收参考电压及外部资料选通信号,并输出一放大信号作为第一电平调节后信号;及第一反相装置,用于将放大信号反相并输出第一电平调节及反相后之资料选通信号。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该差动放大器含有:一对第一PMOS电晶体,各源极连接于一电压源且各闸极端共同连接于第一节点,其中电压源搭接于PMOS电晶体之各基座;一对第一NMOS电晶体,各汲极端分别连接于第一PMOS电晶体对之各汲极端,且各源极端共同连接于第二节点,各闸极端分别接收参考电压及外部资料通信信号;第二NMOS电晶体,连接于第二节点及一接地之间,其闸极端接收触发信号且基座连接至接地;第二PMOS电晶体,其源极端连接于电压源VDD,其汲极端连接至第三节点,位于第一PMOS电晶体对之一及第一NMOS电晶体对之一中间,且其闸极端接收触发信号,电压源则搭接至其基座;以及第三PMOS电晶体,其源端连接于外电压源,其汲极端连接于第四节点,即位于第一PMOS电晶体对其中另一个电晶体及第一NMOS电晶体对中另一个电晶体之间,而其闸极端接收触发信号,且电压源搭接至其基座。6.如申请专利范围第4项之装置,其中该第一反相装置含有数个反相器。7.如申请专利范围第2项之装置,其中该第一控制装置含有:第一延迟单元用于延迟触发信号;第一反相器用于执行第一电平调节及反相后之资料选通信号之反相;第一反及闸用于执行反相后之第一电平调节及反相后之资料选通信号与延迟触发信号之反及运算,以及第一反相及延迟装置用于执行第一反及闸之输出信号之反相及延迟运算,并输出第一启始受控资料选通信号。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该第一延迟装置装置含有数个反相器。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该第一反相及延迟装置含有数个反相器。10.如申请专利范围第2项之装置,其中该输出装置含有:第二反及闸用于执行第一电平调节及反相后之资料选通信号与第一启始受控资料选通信号之反及运算;以及第二反相器用于执行第二反及闸之输出信号之反相运算,并输出第一内部资料选通信号。11.如申请专利范围第3项之装置,其中该第二电平调节及反相装置含有:第二差劲放大器用于接收参考电压及外部资料选通信号,并且输出第二电平调节后信号;及第二反相装置用于执行第二电平调节后信号之反相运算并输出第二电平调节及反相后之资料选通信号。12.如申请专利范围第11项之装置,其中该第二差动放大器含有:第四PMOS电晶体对,各电晶体之源极端连接于电压源且各电晶体之闸极端共同连接于第五节点,其中电压源搭接至第四PMOS电晶体对之各基座;第三NMOS电晶体封,各电晶体之汲极端分别连接至第四PMOS电晶体对之各汲极端,各电晶体之源极端共同连接至第六节点,且第三NMOS电晶体之对各闸极端分别接收外部资料选通信号及参考电压;第四NMOS电晶体,连接于第六节点及接地之间,其闸极端接收触发信号且其基座连接至接地;第五PMOS电晶体,其源极端于电压源,其汲极端连接于第七节点,即介于第四PMOS电晶体对之一及第三NMOS电晶体对之一之间,且其闸极端接收触发信号,而电压源搭至其基座;及第六PMOS电晶体,其源极端连接至电压源,其汲极端连接至第八节点,即介于第四PMOS电晶体对之另一电晶体及第三NMOS电晶体对之另一电晶体之间,且其闸极端接收触发信号,而电压源搭接至其基座。13.如申请专利范围第11项之装置,其中该第二反相装置含有数个反相器。14.如申请专利范围第3项之装置,其中该第二控制装置含有:第二延迟单元用于延迟触发信号;第三反相器用于执行第二电平调节及反相后之资料选通信号之反相运算;第三反及闸用于执行反相后之第二电平调节及反相后之资料选通信号及延迟之触发信号之反及运算;及第二反相及延迟装置用于反相及延迟第三反及闸之输出信号,并输出第二启始受控资料选通信号。15.如申请专利范围第14项之装置,其中该第二延迟装置含有数个反相器。16.如申请专利范围第14项之装置,其中该第二反相及延迟装置含有数个反相器。17.如申请专利范围第3项之装置,其中该第二输出装置含有:第四反及闸用于执行第二电平调节及反相后之资料选通信号及第二启始受控资料选通信号之反及运算;及第四反相器用于执行该第四反及闸之输出信号之反相运算,并输出第二内部资料选通信号。图式简单说明:第一图为一时序图,说明脉波信号与一资料选通信号之上升边缘及下降边缘同步;第二图为一方块图,说明根据本发明之一资料选通缓冲器;及第三图为一电路图,说明根据本发明之一实施例之资料选通缓冲器。 |
