| 主权项 |
1.一种用于制造渠式电容器之方法,其包含:形成渠于基片中;沈积充填物材料于渠之下部中;在该充填物材料之上方之渠上部中沈积介电颈环;从渠之底部去除充填物材料;形成衬护颈环及渠之底部之渠侧壁的节点介电质;及充填该渠有掺杂之半导体材料俾做为渠式电容器之电极,其中该渠之下部的直径系实际地至少等于该渠之上部的直径。2.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积介电颈环之步骤含有使用化学气相沈积法来沈积该介电颈环的步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积介电颈环之步骤含沈积氧化物层之步骤。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该氧化层之厚度系在10nm至50nm之间。5.如申请专利范围第1项之方法,尚包含退火该介电颈环而加密该介电颈环之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,尚包含扩散氧气穿过该介电颈环下方之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中形成渠于基片中之步骤含有以单一蚀刻过程来蚀刻该渠至最后深度之步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积充填物于该渠之下部的步骤含有沈积含有多晶矽及非晶矽之一的充填物材料之步骤。9.一种用于制造渠式电容器之方法,其包含:形成渠于基片中;沈积牺牲充填物材料于渠之下部中;在该充填物材料之上方之渠的上部中及该渠的侧壁上沈积介电颈环而形成渠之颈环;以及从渠之底部去除充填物材料,使得该渠之下部的直径系实际地至少等于该渠之上部的直径。10.如申请专利范围第9项之方法,尚包含:形成衬护该颈环及该渠之底部之渠之侧壁的节点介电质;以及以掺杂之半导体材料来充填该渠而作为该渠式电容器之电极。11.如申请专利范围第9项之方法,其中沈积介电颈环之步骤含有使用化学气相沈积法来沈积该介电颈环的步骤。12.如申请专利范围第9项之方法,其中沈积介电颈环之步骤含沈积氧化物层之步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该氧化层之厚度系在10nm至50nm之间。14.如申请专利范围第9项之方法,尚包含退火该介电颈环而加密该介电颈环之步骤。15.如申请专利范围第9项之方法,尚包含扩散氧气穿过该介电颈环下方之步骤。16.如申请专利范围第9项之方法,其中形成渠于基片中之步骤含有以单一蚀刻过程来蚀刻该渠至最后深度之步骤。17.如申请专利范围第9项之方法,其中沈积牺牲充填物于该渠之下部的步骤含有沈积含有多晶矽及非晶矽之一的充填物材料之步骤。图式简单说明:第一图示出传统之DRAM胞;第二图a-第二图c示出用于形成传统DRAM胞之流程;第三图示出本发明之一个实例之DRAM胞;第四图a-第四图h示出用于形成第三图之DRAM胞之本发明之一个实例之流程;第五图示出本发明之另外实例;第六图a-第六图c示出用于形成本发明之实例之另外流程;第七图a-第七图c示出用于形成本发明之一个实例之再另外流程;及第八图示出本发明之再另外实例。 |
