| 主权项 |
1.一种于接触窗中形成阻障层(Barrier Layer)之方法,其包括:(a)于一半导体基板上,形成一绝缘层,其中该半导体基板并已形成主动元件区;(b)于该绝缘层中开启一接触窗口,该接触窗口使得该半导体基板部分裸露;(c)进行金属离子植入(Metal ion-implantation),经由该接触窗,于该半导体基板裸露部分内形成一离子植入金属层(lon-implanted Metal layer);(d)对该离子植入金属层于含氮环境下进行热处理,形成一阻障层,该阻障层系由氮化金属层(NitrideLayer)及矽化金属层(Silicide Layer)所组成。2.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之绝缘层可为一二氧化矽层,其厚度在3000-8000之间。3.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述金属离子植入所植入的金属离子可为钛(Ti)。4.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述金属离子植入所植入的金属离子可为铂(Pt)。5.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之含氮环境下进行热处理系可在氮气(N2)环境中进行回火(Annealing)处理。6.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之含氮环境下进行热处理系可在氨气(NH3)环境中进行回火(Annealing)处理。7.如申请专利范围第1项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中在(d)之后更可包含填入金属于该接触窗内,再形成金属内连线层,以形成接触窗内之完整金属插栓(Plug)。8.如申请专利范围第7项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之于该接触窗内填入金属,系先以六氟化钨(WF6)与矽(SiH4)反应形成金属钨,以化学气相沈积法(CVD)填入金属钨插栓于该接触窗内。9.一种于接触窗中形成阻障层(Barrier Layer)之方法,其包括:(a)于一半导体基板上,形成一绝缘层,其中该半导体基板并已形成主动元件区;(b)于该绝缘层中开启一接触窗口,该接触窗口使得该半导体基板部分裸露;(c)进行金属离子植入(Metal ion-implantation),经该接触窗于该半导体基板裸露部分内形成一离子植入金属层(Ion-implanted Metal layer);(d)对该离子植入金属层于含氮环境下进行热处理,形成一阻障层,该阻障层系由氮化金属层(NitrideLayer)及矽化金属层(Silicide Layer)所组成;(e)覆盖上一第二阻障层。10.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之绝缘层可为一二氧化矽层,其厚度在3000-8000之间。11.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述金属离子植入所値入的金属离子可为钛(Ti)离子。12.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障属之方法,其中所述金属离子植入所植入的金属离子可为铂(Pt)离子。13.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之含氛环境下进行热处理系可在氮气(N2)环境中进行回火(Annealing)处理。14.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之含氮环境下进行热处理系可在氨气(NH3)环境中进行回火(Annealing)处理。15.申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之第二阻障层系以溅镀(Sputtering)或化学气相沈积法(CVD)覆盖上一层阻障层。16.申请专利范围第9项或第15项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之第二阻障层系可为氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)其中一种。17.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中在(d)之后更可包含填入金属于该接触窗内,再形成金属内连线层,以形成接触窗内之完整金属插栓(Plug)。18.如申请专利范围第9项所述于接触窗中形成阻障层之方法,其中所述之于该接触窗内填入金属,系先以六氟化钨(WF6)与矽(SiH4)反应形成金属钨,以化学气相沈积法(CVD)填入金属钨插栓于该接触窗内。图式简单说明:第一图A-第一图B系为习知于接触窗中形成阻障层之方法与结构。第二图A-第二图F系为本发明实施例于接触窗中形成阻障层之方法与结构。 |
