| 主权项 |
1.一种沈积具有低介电常数薄膜的制程,该制程至少包含让一或多个内含至少一个Si-C键之矽化合物,在约低于400℃之温度下,于内含一基材之反应室中与一可形成羟基之化合物一同反应。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中每一矽化合物中之每一矽原子系与二或多个碳原子键结,且其中相同分子上之二或多个矽原子系被不超过二个碳原子或不超过一个氧原子间隔开来。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中矽化合物系选自甲基矽烷、二甲基矽烷、三甲基矽烷、四甲基矽烷、二矽烷基甲烷、双(甲基矽烷基)甲烷、1,2-二矽烷基乙烷、1,2-双(甲基矽烷基)乙烷、2,2-二矽烷基丙烷、1,3,5-三矽烷基-2,4,6-三亚甲基、1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-双(矽烷基亚甲基)二矽氧烷、双(1-甲基二矽氧烷基)甲烷、2,2-双(1-甲基二矽氧烷基)丙烷、2,4,6,8,10-五甲基环五矽氧烷、1,3,5,7-甲矽烷基-2,6-二氧基-4,8-二亚甲基、2,4,6-三矽烷甲四氩喃,2,5-二矽烷基四氩喃、氟化碳衍生物中,或其中之任意组合。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中可形成羟基之化合物系于一微波反应室中进行解离。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中可形成羟基之化合物系选自过氧化氢、二甲基二环氧乙烷、乙酸、水及异丙醇中。6.一种沈积具有低介电常数薄膜的制程,其至少包含:于一图案化金属层上沈积一共形衬层,其制程气体系包含一矽化合物与一氧化气体,并于约0W至200W之一脉冲RF电力或于约20W至500W之一脉冲RF电力下来进行,其中该矽化合物系包含碳;及在基材温度约低于400℃下,以内含该矽化合物与一可形成羟基之化合物之制程气体,于该衬层上沈积一填沟层。7.如申请专利范围第6项所述之制程,其中该矽化合物中之每一矽原子系与至少二个碳原子及至少一个氢原子键结,且其中相同分子上之矽原子系被不超过二个碳原子或不超过一个氧原子间隔开来。8.如申请专利范围第6项所述之制程,其中沈积该填沟层之基材温度约低于40℃。9.如申请专利范围第6项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物系于一微波反应室中进行解离。10.如申请专利范围第6项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物系选自过氧化氢、二甲基二环氧乙烷、乙酸、水与异丙醇中。11.如申请专利范围第10项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物为过氧化氢。12.如申请专利范围第6项所述之制程,该制程更包含以内含该矽化合物与该氧化气体之制程气体于该填沟层上沈积一盖层。13.一种沈积具有低介电常数之薄膜的制程,包含:于一图案化金属层上沈积一共形衬层,其制程气体系包含一矽化合物与一氧化气体,并于约0W至200W之一恒常RF电力或于约20W至500W之一脉冲RF电力下来进行,其中该矽化合物系包含碳;及在基材温度约低于400℃下,以内含一第二矽化合物与一可形成羟基之化合物之制程气体,于该衬层上沈积一填沟层。14.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该第一矽化合物中之每一矽原子系与至少二个碳原子键结,且其中相同分子中之矽原子是被不超过二个碳原子或不超过一个氧原子间隔开来。15.如申请专利范围第13项所述之制程,该制程更包含以内含该第一矽化合物与该氧化气体之制程气体,于该填沟层上沈积一盖层。16.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物系于一微波反应室中进行解离。17.如申请专利范围第16项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物为水。18.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该第二矽化合物为四乙氧基矽烷。19.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物系选自过氧化氢、二甲基二环氧乙烷、乙酸、水与异丙醇中。20.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该可形成羟基之化合物为过氧化氢。图式简单说明:第一图A-第一图B(习知)为习知技艺之一种于基材上沈积介电层之制程流程图。第二图绘示实施本发明方法之一实施例之CVD电浆反应器。第三图绘示在进入第二图之反应器前,用以解离制程气体之远程微波反应室的图示。第四图绘示另一液体注射系统之示意图,其用以控制提供于第二图之反应器例如水与过氧化氢之液体的供应。第五图为使用第二图之反应器与制程控制电脑程式产品之流程图。第六图绘示本发明之一实施例,于填沟层中沈积衬层与盖层的步骤流程图。第七图A-第七图E绘示以第六图之制程于基材上沈积各薄层之制程流程剖面图。 |
