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<p>본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 텅스텐/폴리 게이트 전극 형성시 텅스텐(W) 과 실리콘(Si)의 산화 비(oxidation rate) 차이에 의한 산화 공정의 어려움을 해결하기 위하여, 폴리실리콘층 증착 및 패터닝 공정을 진행한 후, 폴리 산화 공정을 진행하고, 소오스/드레인 접합부를 형성한 후, 절연막을 증착하고, 이후 노광/식각 공정을 거친 후 텅스텐(W)을 증착하여 텅스텐/폴리 게이트 전극을 갖는 트랜지스터 제조 방법에 관하여 기술된다.</p> |
