| 主权项 |
1.一种记忆体测试装置,系为针对所定测试图案讯号施加到被测试半导体记忆体,将从该被测试半导体记忆体所读出之回应讯号,与期待値图案讯号作逻辑比较,测试上述被测试半导体记忆体的装置时间及保持时间之记忆体测试装置;其特征为具备:在1动作周期内生成所定图案的复数测试讯号资料之图案产生手段;及在1动作周期内生成复数时间时脉之时间产生手段;及利用从上述图案产生手段所提供的复数测试讯号资料与从上述时间产生手段所提供的复数时间时脉而生成2个NRZ波形,施加到被测试半导体记忆体之波形生成手段。2.如申请专利范围第1项之记忆体测试装置,其中上述图案产生手段,在于各动作周期,输出这些个逻辑相互反转之2个测试讯号资料。3.如申请专利范围第1项之记忆体测试装置,其中上述图案产生手段,当测试被测试半导体的装置时间时,在于各动作周期,输出相互反转这些个逻辑之第1及第2的2个测试讯号资料;当测试被测试半导体记忆体的保持时间时,输出分别反转这些第1及第2的2个测试讯号资料的逻辑状态之第3及第4的2个测试讯号资料。4.如申请专利范围第2项之记忆体测试装置,其中上述波形生成手段,利用从上述时间产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案产生手段所提供之2个测试讯号资料的一者作成变化点,利用他者的时间时脉而在他者的测试讯号资料作成变化点,生成1个NRZ波形。5.如申请专利范围第3项之记忆体测试装置,其中上述波形生成手段,利用从上述时间产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案产生手段所提供之上述第1及第4测试讯号资料分别作成变化点,利用他者的时间时脉而在上述第2及第3测试讯号资料分别作成变化点,生成2个NRZ波形。6.如申请专利范围第2项之记忆体测试装置,其中上述波形生成手段,当测试被测试半导体的装置时间时,利用从上述时间产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案产生手段所提供之2个测试讯号资料的一者作成变化点,利用他者的时间时脉而在他者的测试讯号资料作成变化点,生成1个NRZ波形;当测试半导体记忆体的保持时间时,利用上述一者的时间时脉而在他者的测试讯号资料作成变化点,利用上述他者的时间时脉而在上述一者的测试讯号资料作成变化点,进而生成1个NRZ波形。7.如申请专利范围第1项之记忆体测试装置,其中从上述时间产生手段所产生复数时间时脉的产生时间为可变。8.一种记忆体测试装置,系为针对具备:输出所定图案的测试讯号资料之图案产生手段,及产生所要的时间讯号之时间产生手段,及由从该时间产生手段所提供的时间讯号和从上述图案产生手段所提供的测试讯号资料,生成具有实波形的测试图案讯号之波形生成手段,及将从该波形生成手段所输出之测试图案讯号施加到被测试半导体记忆体之驱动器、及将从被测试半导体记忆体所读出之回应讯号与从上述图案产生手段所提供之期待値图案讯号作逻辑比较之图案比较器等;判断被测试半导体记忆体的良否之记忆体测试装置;其特征为:具备:被设在上述时间产生手段之在1动作周期内生成复数时间时脉之时间时脉产生手段;及利用被设在上述波形生成手段之从上述图案资料产生手段所提供的2个测试讯号资料与从上述时间时脉产生手段所提供的复数时间时脉而生成2个NRZ波形之NRZ波形生成手段等;也能测试被测试半导体记忆体的装置时间及保持时间。9.如申请专利范围第8项之记忆体测试装置,其中上述图案资料产生手段,在于各动作周期,输出这些个逻辑相互反转之2个测讯号资料。10.如申请专利范围第8项之记忆体测试装置,其中上述图案资料产生手段,当测试被测试半导体记忆体的装置时间时,在于各动作周期,输出相互反转这些个逻辑之第1及第2的2个测试讯号资料;当测试被测试半导体记忆体的保持时间时,输出分别反转这些第1及第2的2个测试讯号资料的逻辑状态之第3及第4的2个测试讯号资料。11.如申请专利范围第9项之记忆体测试装置,其中上述NRZ波形生成手段,利用从上述时间时脉产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案资料产生手段所提供之2个测试讯号资料的一者作成变化点,利用他者的时间时脉而在他者的测试讯号资料作成变化点,生成1个NRZ波形。12.如申请专利范围第10项之记忆体测试装置,其中上述NRZ波形生成手段,利用从上述时间时脉产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案资料产生手段所提供的上述第1及第4测试讯号资料分别作成变化点,利用他者的时间时脉而在上述第2及第4测试讯号资料分别作成变化点,生成2个NRZ波形。13.如申请专利范围第9项之记忆体测试装置,其中上述NRZ波形生成手段,当测试被测试半导体记忆体的装置时间时,利用从上述时间时脉产生手段所提供之2个时间时脉的一者而在从上述图案资料产生手段所提供之2个测试讯号资料的一者作成变化点,利用他者的时间时脉而在他者的测试讯号资料作成变化点,生成1个NRZ波形;当测试被测试半导体记忆体的保持时间时,利用上述一者的时间时脉而在上述他者的测试讯号资料作成变化点,进而生成1个NRZ波形。14.如申请专利范围第8项之记忆体测试装置,其中从上述时间时脉产生手段所产复数时间时脉的产生时间为可变。图式简单说明:第一图系为表示本发明记忆体测试装置的一实施例其基本构成之方块图。第二图系为了说明用于本发明NRZBC波形的生成方法之时间图。第三图系为了说明当以第一图所示的记忆体测试装置测定IC记忆体的装置时间时所使用NRZBC波形的生成方法之时间图。第四图系为了说明当以第一图所示的记忆体测试装置测定IC记忆体的保持时间时所使用NRZBC波形的生成方法之时间图。第五图系为了说明在于过去的记忆体测试装置写入被测试IC记忆体资料的动作之时间图。第六图系为了说明当以过去的记忆体测试装置测定IC记忆体的装置时间及保持时间时所使用XORABC波形的生成方法之时间图。第七图系为了说明当以过去的记忆体测试装置测定高速的IC记忆体的保持时间时所使用XORBC波形的生成方法之时间图。第八图系为表示过去记忆体测试装置一例的基本构成之方块图。 |
