| 主权项 |
1.一种发光或受光用半导体模组,其特征为,具备有:复数个半导体装置,呈粒状且具有发光或受光功能,并以排齐于导电方向之状态配设成复数列复数行;以及导电连接机构,用以将该等各行之复数个半导体装置予以电性串联连接,同时将各列之复数之半导体装置予以电性并联连接。2.如申请专利范围第1项之发光或受光用半导体模组,其中前述导电连接机构,系由金属制之薄板所制成之复数个引线框架(lead frame)所构成。3.如申请专利范围第2项之发光或受光用半导体模组,其中具有将前述全部之半导体装置覆盖成埋设状之透光构件。4.如申请专利范围第1项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体装置为太阳电池。5.如申请专利范围第1项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体装置为球状之半导体装置。6.如申请专利范围第1项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体装置为圆柱状之半导体。7.如申请专利范围第2项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体装置为,包含有:半导体元件,由p型或n型之半导体所成之略球状之半导体元件,在其中心之两侧之一对之顶部,形成有平行的第1,第2平坦面;pn接合,形成在包含前述第1平坦面之半导体元件之表层部之扩散层及藉由该扩散层而形成之略球面状;以及第1,第2电极,分别设在前述第1,第2之平坦面且连接于前述pn接面之两端。8.如申请专利范围第2项之发光或受光用半导体模组,其中,前述半导体装置为具备有:半导体元件,呈圆柱状而由p型或n型之半导体所成,在其一对端部形成有与轴心垂直交叉之平行的第1,第2平坦面;pn接合,形成在包含前述第1平坦面之半导体元件之表层部之扩散层及藉由该扩散层而形成;以及第1,第2电极分别设在前述第1,第2平坦面且连接于前述pn接面之两端。9.如申请专利范围第7项之发光或受光用半导体模组,其中前述第1,第2之平坦面之平均直径系小于两平坦面间之距离者。10.如申请专利范围第7项之发光或受光用半导体模组,其中前述第1,第2之平坦面系形成为不同的直径者。11.如申请专利范围第7或8项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体元件系以矽半导体所构成者。12.如申请专利范围第7或8项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体元件为,以砷化镓(GaAs),磷化铟(InP),磷化镓(GaP),氮化镓(GaN),硒化铟铜(InCuSe)当中之任何化合物半导体所构成者。13.如申请专利范围第7或8项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体元件系以p型半导体所构成,前述扩散层为以n型扩散层所构成,在前述第2平坦面形成有p型再结晶层,在该p型再结晶层之表面设有第2电极者。14.如申请专利范围第7或8项之发光或受光用半导体模组,其中前述半导体元件系以n型半导体所构成,前述扩散层系以p型扩散层构成,在前述第2平坦面形成n型再结晶层,在该n型再结晶层之表面设有第2电构者。15.一种发光或受光用半导体模组,其特征为具备有:复数半导体装置,呈粒状且具有发光或受光功能,并以排齐于导电方向之状态区分成复数行而向周方向保持适当间隔而配置成环状之呈复数行以及导电连接机构,用以将该等各行之复数半导体装置予以电性串联连接,同时将各环之复数个半导体装置予以电性并联连接。16.如申请专利范围第15项之发光或受光用半导体模组,其中设透明合成树脂制之圆筒状之透光构件,将前述配设成环状之复数行之半导体装置埋设在前述透光构件之周壁内者。17.如申请专利范围第16项之发光或受光用半导体模组,其中前述透光构件周壁之内周面有形成使光不规则反射之不规则反射面者。18.一种发光或受光用半导体模组之制造方法,其特征为,包括有:准备金属薄板制之复数引线框架,及具有发光或受光功能之粒状之复数个半导体装置之第一制程;将前述复数个半导体装置以排齐于导电方向之状态装配于前述复数之引线框架之间,并将该等半导体装置配置成复数列复数行之矩阵状,藉由引线框架串联连接各行之半导体装置,同时藉由引线框架并联连接各则之半导体装置之第二制程;以及将前述配置成矩阵状之复数个半导体装置埋设在透明合成树脂制之透光构件内之第三制程者。19.如申请专利范围第18项之发光或受光用半导体模组之制造方法,其中在前述第三制程中,在各行之半导体装置之两侧形成部分圆筒透镜部者。20.一种发光或受光用半导体模组之制造方法,其特征为,包括有:准备金属薄板制之环状之复数引线框架及具有发光或受光功能之粒状之复数个半导体装置之第一制程;将前述复数个半导体装置以排齐于导电方向之状态装配于前述复数之引线框架之间而区分为复数行,且排列成向周方向保持适当间隔配置成环状之复数行,同时藉由引线框架串联连接各行之复数个半导体装置,并藉由引线框架并联连接各列之半导体装置之第二制程;以及将前述复数行之半导体装置埋设在透明合成树脂制之透光构件之周壁内之第三制程者。图式简单说明:第一图至第十六图系显示最初之实施形态之图。第一图系球状半导体元件之剖面图。第二图系形成有第1之平坦面之半导体元件之剖视图。第三图系形成扩散层及pn接面半导体元件之剖视图。第四图系形成有第2之平坦面之半导体元件之剖视图。第五图系形成扩散层之半导体元件之剖视图。第六图系半导体装置之剖面图。第七图系引线框架板之平面图。第八图系装配半导体装置与引线框架板之装配体之纵剖侧面图。第九图系半导体装置与引线框架之放大剖视图。第十图系三组之半导体模组与引线框架板之平面图。第十一图系半导体模组与引线框架板之纵剖面图。第十二图系半导体模组与引线框架板之纵剖面图。第十三图系半导体模组之平面图。第十四图系半导体模组之纵剖面图。第十五图系半导体模组之侧面图。第十六图系半导体模组之等价电路之图。第十七图系变更形态1中之半导体装置之剖面图。第十八图-第二十一图系显示变更形态2之图。第十八图系形成有第1,第2之平坦面之半导体元件之剖面图。第十九图系形成扩散层之半导体元件之剖面图。第二十图系设有负电极之半导体元件之剖面图。第二十一图系半导体装置之剖面图。第二十二图-第三十图系显示变更形态3之图。第二十二图系显示圆柱状半导体材料及半导体元件之图。第二十三图系第二十二图之线XXIII-XXIII剖面图。第二十四图系形成扩散层之半导体元件之剖面图。第二十五图系除去平坦面之半导体元件之剖面图。第二十六图系形成其他扩散层之半导体元件之剖面图。第二十七图系半导体装置之剖面图。第二十八图系半导体模组之平面图。第二十九图系第二十八图之线XXVIIII-XXVIIII剖面图。第三十图系半导体装置与引线框架之要部放大剖面图。第三十一图-第三十四图系显示变更形态4之图。第三十一图系制造半导体模组途中之装配体之平面图。第三十二图系前述装配体之正面图。第三十三图系半导体模组之平面图。第三十四图系半导体模组之剖面图。 |
