| 主权项 |
1.一种防治桥接问题的方法,包含:提供一底材;形成一垫层在该底材上;形成一第一覆盖层在该垫层上;定义一渠沟区域于该底材上,其中位于该架沟区域内之该第一覆盖层系被移除以形成一渠沟;搀杂多数个第一离子到未被该第一覆盖层所覆盖之部份该底材中;形成多数个间隙壁在该架沟的侧壁;搀杂多数个第二离子到未被该第一覆盖层或该些间隙壁所覆盖之部份该底材中;形成一闸极氧化层在该架沟中;填入一多晶矽层到该架沟中;覆盖一第一金属层在该多晶矽层上;执行一第一快速热处理程序;移除未反应之该第一金属层;以一第二覆盖层填入该架沟,该第二覆盖层并未覆盖位该第一覆盖层;移除不位于该渠沟区域中之该第一覆盖层与该垫层,藉以形成一闸极结构;形成一源极与一汲极在该底材中,该源极与该汲极系位于该闸极结构的周围;形成一第二金属层在该底材上;执行一第二快速热处理程序;移除未反应之该第二金属层;执行一第三快速热处理程序;形成一第三覆盖层在该底材上,该第三覆盖层也覆盖住该闸极结构;以及形成多数个接触在该第三覆盖层中,该些接触系分别连接到该源极与该汲极。2.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之底材至少包含多数个结构如隔离。3.如申请专利范围第2项之防治桥接问题的方法,其中上述之隔离至少包含场氧化层。4.如申请专利范围第2项之防治桥接问题的方法,其中上述之隔离至少包含浅渠沟隔离。5.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之垫层至少包含垫氧化层。6.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第一离子的传导形态系与该底材的传导形态相反。7.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第二离子的传导形态系与该底材的传导形态相同。8.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第一离子的绕杂浓度系与该第二离子的搀杂浓度相同。9.如申请专利范围第1项之方法防治桥接问题的,其中上述之第一金属层之材料的可能种类至少包含钛、钴、钨、铂、钯、钽以及钼。10.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第一快速热处理程序的温度约为500℃至800℃。11.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第一覆盖层与该第二覆盖层间的蚀刻选择比约大于20。12.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,更包含在形成该源极与该汲极前,先形成二个轻搀杂汲极在该底材中。13.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第二金属层之材料的可能种类至少包含钛、钴、钨、铂、钯、钽以及钼。14.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第二快速热处理程序的温度约为500℃至800℃。15.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之第三快速热处理程序的温度约为800℃至1000℃。16.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,更包含在该第三快速热处理程序后,回火处理该源极与该汲极。17.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,更包含在形成该些接触前先平坦化该第三覆盖层的表面。18.如申请专利范围第1项之防治桥接问题的方法,其中上述之平坦化该第三覆盖层表面的方法至少包含化学机械研磨法。19.一种形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,包含:提供为一第一覆盖层所覆盖之一底材;形成一渠沟于该第一覆盖层中;植入多数个第一离子到未被该第一覆盖层所覆盖之部份的该底材;形成一对间隙壁于该渠沟之侧壁上;植入多数个第二离子到未被该第一覆盖层或该些间隙壁所覆盖之部份的该底材;依序填入一介电质层与一传导层到该架沟以形成一闸极结构于该架沟中,其中该传导层的材料必须能与金属反应而形成金属矽化物;形成一第一金属矽化物于该介电质层上;形成一第二覆盖层在该第一金属矽化物上;移除该第一覆盖层;形成一源极与一汲极在该底材;以及形成一第二金属矽化物在该源极与该汲极上。20.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,更包含在形成该第一覆盖层前先形成一垫层在该底材上。21.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第一离子的传导形态系与该底材的传导形态相反。22.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第二离子的传导形态系与该底材的传导形态相同。23.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第一离子的植入浓度系与该第二离子的植入浓度相同。24.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第一金属层之材料的可能种类至少包含钛、钴、钨、铂、钯、钽以及钼。25.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第一快速热处理程序的温度约为500℃至800℃。26.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第一覆盖层与该第二覆盖层间的蚀刻选择比的大于20。27.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第二金属层之材料的可能种类至少包含钛、钴、钨、铂、钯、钽以及钼28.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第二快速热处理程序的温度约为500℃至800℃。29.如申请专利范围第19项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,更包含在该第二快速热处理程序完成后,再进行一第三快速热处理程序。30.如申请专利范围第29项之形成具有无桥接现象金属矽化物与短等效闸极长度之电晶体的方法,其中上述之第三快速热处理程序的温度约为800℃至1000℃。图式简单说明:第一图是本发明的基本流程图;第二图A到第二图I为本发明之一较佳实施例中各基本步骤的横截面示意图;以及第三图为本发明之另一较佳实施例之基本步骤的流程示意图。 |
