发明名称 | 抗污染薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明属于薄膜材料领域,特别涉及抗污染薄膜的制备方法。以有机硅氧烷、醇为前驱体原料,加入去离子水和适量水解催化剂,再加入金属醇盐和醇溶液,在80℃-120℃之间加热回流1-3小时后,降温,加入氟表面活性剂,得到制膜溶胶。采用成熟工艺在基材表面制膜,将所得薄膜在120℃-350℃恒温固化1小时,自然冷却至室温,得到抗污染薄膜。该方法流程易于控制,薄膜透明及耐磨性好,与基材结合牢固,抗污染效果显著。 | ||
申请公布号 | CN1331260A | 申请公布日期 | 2002.01.16 |
申请号 | CN00109709.1 | 申请日期 | 2000.06.30 |
申请人 | 中国科学院化工冶金研究所 | 发明人 | 陈运法;金联明;李浩莹;谢裕生 |
分类号 | C08J5/18;C08L83/04 | 主分类号 | C08J5/18 |
代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 李柏 |
主权项 | 1.一种抗污染薄膜的制备方法,其特征在于步骤为:(1).在容器中加入有机硅氧烷、去离子水、醇;其中,去离子水的加入量为至少完全使有机硅氧烷水解的化学计量,醇的加入量为有机硅氧烷和去离子水的体积之和,再加入水解催化剂进行水解,催化剂的加入量以保持体系的pH值在1~5之间,水解温度控制在25℃~60℃之间,时间1~3小时;(2).在上述容器中加入金属醇盐和醇溶剂的混合物,醇与醇盐的摩尔比在1∶11~1∶9之间,醇盐和有机硅氧烷的摩尔比值在1∶12-1∶2之间;然后让体系在80℃~120℃之间回流1~3小时,使单聚体原料产生聚合反应;(3).将体系降温至40℃~80℃之间,加入氟表面活性剂,其加入量为与有机硅氧烷的摩尔比在0.0001-0.05之间,保持体系恒温,搅拌1~3小时,然后在不断搅拌的情况下冷却至室温;(4).将上述所得产物静置一段时间后,采用浸渍法、悬覆法或涂刷在基材表面制备薄膜;(5).将上述制备好的薄膜放在烘箱中干燥,温度控制在40℃~80℃之间恒温;(6).将干燥好的薄膜置于电炉中进行固化,缓慢升温至120℃-350℃,恒温一段时间后自然冷却至室温,即得到抗污染薄膜。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村北2条1号 |