阵列式光学探针扫描集成电路光刻方法

摘要

本发明属于微细工程制造领域,该方法使用阵列式光学探针扫描光刻制作集成电路,达到的集成电路的最小线宽可小于0.1μm,同时具有速度快,效率高的特点,并大大简化了集成电路的制作工艺,为超大规模集成电路的制作提供了一种新的有效的途径。

主权项

1、一种阵列式光学探针扫描集成电路光刻方法，包括以下步骤：1)在计算机中完成原始集成电路图形信号处理，由计算机用此图形信号进行控制加工；2)由m×n个光探针单元构成光学探针阵列，根据所要刻写电路图形的大小，由计算机控制调整各探针单元之间的距离，使光学探针阵列覆盖整个待加工硅片，调整好后将其固定不变，构成加工空间；3)在精密工作台上放置涂有光刻胶的感光硅片，并对硅片进行粗定位，然后移动工作台到加工空间内；4)将光学探针阵列中任意两个纵向或横向间隔最大的光探针单元用作精确定位的光探针单元单独在硅片上扫描，制作记录硅片信息的信号，用于套刻时硅片的对准与校正；5)将光学探针阵列中各光探针单元分别自动调焦至硅片表面，精密工作台沿X向往复高速运动，并沿Y向精密步进，与此同时由计算机根据集成电路图形统一同步调控探针阵列各单元光源开关状态，完成对同一硅片上的多个集成电路芯片的多次刻写；6)移动工作台到工作空间之外，取出硅片；7)将光刻过的硅片进行扩散，掺杂工艺，完成对感光图形的固定，洗掉原来光刻胶，重新在硅片上涂新的光刻胶；8)对该硅片进行第二次套刻，首先用所说的两个精确定位的探针单元对感光硅片进行对准，使其与上次加工位置相匹配，精确对准后进行5)-7)步骤；9)重复8)步骤进行多次套刻、扩散和掺杂，完成对多个集成电路的制作。