| 主权项 |
1.一种形成网状结构光阻层的方法,其步骤包括:提供一化学倍增式光阻层(chemically amplified resist);以一光源照射该光阻层;以及将该照射过的光阻层,置于一双环氧丁二烯(butadienediepoxy, BTDE)之交联剂(cross linking agent)的蒸汽中,使形成该网状结构的光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所提供的该光阻层系为一已图案化的光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光源系为一紫外线(ultra violet,UV)光源。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该紫外线光源之波长系为365nm。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该光源照射之时间为1秒至3分钟。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蒸汽更包含有氮气,而该双环氧丁二烯(butadienediepoxy, BTDE)于该蒸汽中之含量为5%-100%。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在以一光源照射该光阻层后,该方法更包含一步骤为烘烤该光阻层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该网状结构的光阻层之形成温度系介于80℃至120℃之间。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该形成温度为100℃。10.如申请专利范围第8项所述之方法,该温度系由一加热板所提供。图式简单说明:第一图为习知图案化光阻层步骤的示意图;(a)系为以波长248微米(nm)之深紫外线光源曝光正光阻层的示意图;(b)系为将第一图之光阻层,经显影步骤后之示意图;以及第二图为本案形成网状结构光阻层的方法;(a)系以波长为365微米(nm)之紫外线光源照射图案化之化学倍增式光阻层的示意图;(b)系根据本案之方法,经100℃烘烤后,于表面形成网状结构化学倍增式光阻层的示意图。 |
