| 主权项 |
1.一种半导体装置中蚀刻绝缘层的方法,包括:在半导体基材上形成一绝缘层;以及藉由使此绝缘层受到反应气体作用来进行此绝缘层的乾式蚀刻,包含氢气以及C4HxF8-xO,其中x的値为0到4的整数。2.根据申请专利范围第1项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以是C4F8O气体以及C4HxF8-xO气体的混合气体,其中x的値为1到4的整数。3.根据申请专利范围第1项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含氧气。4.根据申请专利范围第1项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含含氧气体。5.根据申请专利范围第4项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该含氧气体为一氧化碳气体和二氧化碳气体其中之一。6.根据申请专利范围第1项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含氟化碳系(CxFy)的气体(其中x的値为1到6的整数,而y的値为2到12的整数),以及氟化碳氢化合物系(CxHyFz)的气体(其中x的値为1到6的整数,y的値为1到4的整数,而z的値为2到10的整数)其中之一。7.根据申请专利范围第1项的方法,其特征为该绝缘层形成氧化矽层或氮化矽层其中之一。8.一种半导体装置中蚀刻绝缘层的方法,包括:在半导体基材上形成一绝缘层;以及藉由使此绝缘层受到反应气体作用来进行此绝缘层的乾式蚀刻,包含C8F8O以及氩气。9.根据申请专利范围第8项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含氧气。10.根据申请专利范围第8项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含含氧气体。11.根据申请专利范围第10项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该含氧气体为一氧化碳气体和二氧化碳气体其中之一。12.根据申请专利范围第8项的方法,其特征为在乾式蚀刻的过程当中,该反应气体可以进一步包含氟化碳系(CxFy)的气体(其中x的値为1到6的整数,而y的値为2到12的整数),以及氟化碳氢化合物系(CxHyFz)的气体(其中x的値为1到6的整数,y的値为1到4的整数,而z的値为2到10的整数)其中之一。13.根据申请专利范围第8项的方法,其特征为该绝缘层形成氧化矽层或氮化矽层其中之一。图式简单说明:图示1所示之侧视图是根据本发明之具体实施例显示一种半导体装置中蚀刻绝缘层的方法。图示2所示之化学结构图显示用于图示1之半导体装置中蚀刻绝缘层之方法的C4F8O气体其基本结构。图示3所示之蚀刻速率的变化图是根据本发明之具体实施例基于使用C4F8O气体的蚀刻方法所量测的结果,其是关于C4F8O气体之供给量对于蚀刻速率的变化图。图示4所示之蚀刻速率的变化图是根据本发明之具体实施例基于使用C4F8O气体的蚀刻方法所量测的结果,其是关于供给电源对于蚀刻速率的变化图。图示5以及图示6之电子扫描显微镜照片是根据本发明之具体实施例藉由蚀刻绝缘层的方法形成接触洞,其在扫描式电子显微镜下之影像。 |
