半导体处理设备即时控制方法

摘要

一种用于即时控制半导体处理设备的方法被揭露。在该方法中，一个能够自动地停止对产量之制程和该设备之运作的联锁模组系被建构在一主机电脑内。如果在测量处理中所测量的资料不满足设定于该主机电脑内的最佳测量资料的话，第一特殊规则和第二特殊规则，对产品之制程和该设备的运作系由该联锁模组选择地或者同时地停止。藉此，系有可能在一测量处理被执行之后马上即时决定该处理是否在最佳处理条件下被执行。因此，能够避免不良地执行该处理。此外，由于该处理系根据在SPC中使用之像第一特帖殊和第二特殊规则般的种种统计资料来被决定是否被下常执行，不良地执行处理的原因能够准确且迅速地被决定。

主权项

1.一种用于即时控制半导体处理设备的方法,包含如下之步骤:决定是为经由一单元处理所处理之产品之特性値的测量资料是否处于在主机电脑中设定之最佳测量资料的范围之内;如果该测量资料被决定为处于该最佳测量资料的范围内的话,首先决定该测量资料是否满足一第一特殊规则;如果该测量资料在该第一个决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,正常地运作在其内业已执行该单元处理的设备;如果该测量资料系于该第一决定步骤被决定为不满足该第一特殊规则的话,同时停止在其内业已执行该单元处理之设备的运作和对该产品的制程;如果该测量资料决定为非处于该最佳测量资料的范围内的话,停止对该产品的制程;其次,在对该产品的制程被停止之后,决定该测量资料是否满足该第一特殊规则;如果该测量资料系于该第二决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,正常地运作在其内业已执行该处理的设备;及如果该测量资料系于该第二决定步骤被决定为不满足该第一特殊规则的话,停止在其内业已执行该处理之设备运作。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一特殊规则是为一最大控制极限,其系被使用于统计处理控制(SPC)而且范围系从一上控制极限到一下控制极限。3.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含如下之步骤:如果该测量资料系于该第一决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,在该设备被正常运作之前,第三次决定该测量资料是否满足至少一个第二特殊规则,而且如果该测量资料被决定为不满足该第二特殊规则的话,停止对该产品的制程和该设备的运作;及如果该测量资料系于该第二决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,在该设备被正常运作之前,第四次决定该测量资料是否满足至少一个第二特殊规则,而且如果该测量资料彼决定为不满足该第二特株规则的话,停止该设备的运作。4.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含如下之步骤:如果该测量资料系于该第一决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,在该设备彼正常运作之前,第三次决定该测量资料是否满足至少一个第二特殊规则,而且如果该测量资料被决定为不满足该第二特殊规则的话,停止对该产品的制程和该设备的运作。5.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含如下之步骤:如果该测量资料系于该第二决定步骤被决定为满足该第一特殊规则的话,在该设备被正常运作之前,决定该测量资料是否满足至少一个第二特殊规则,而且如果该测量资料被决定为不满足该第二特殊规则的话,停止该设备的运作。6.如申请专利范围第3至5项中任何一项所述之方法,其中,该第二特殊规则包括2/3规则,4/5规则和5趋势规则,其是为一般使用于该SPC的控制极限。7.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤是为决定该测量资料是否满出该2/3规则的步骤。8.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤是为决定该测量资料是否满足该4/5规则的步骤。9.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤是为决定该测量资料是否满足该5趋势规则的步骤。10.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;及如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该4/5规则。11.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;及如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。12.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料足否满足该4/5规则;及如果该测量资料被决定为满足该4/5规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。13.如申请专利范围第3或4项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第三决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该4/5规则;及如果该测量资料被决定为满足该4/5规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。14.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤是为决定该测量资料是否满足该2/3规则的步骤。15.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤是为决定该测量资料是否满足该4/5规则的步骤。16.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤是为决定该测量资料是否满足该5趋势规则的步骤。17.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;及如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该4/5规则。18.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该4/5规则;及如果该测量资料被决定为满足该4/5规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。19.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资以是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;及如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。20.如申请专利范围第3或5项所述之方法,其中,决定该测量资料是否满足该第二特殊规则的第四决定步骤包括如下之步骤:决定该测量资料是否满足该2/3规则;如果该测量资料被决定为满足该2/3规则的话,决定该测量资料是否满足该4/5规则;及如果该测量资料被决定为满足该4/5规则的话,决定该测量资料是否满足该5趋势规则。图式简单说明:第1图系用于控制半导体处理设备之习知方法的流程图;第2图系本发明用于控制半导体处理设备之系统的示意方块图;第3A和3B图描绘本发明用于即时控制半导体处理设备之方法的流程图;及第4A和4B图描绘第3A和3B图中所方之方法之变化实施例的流程图。