| 主权项 |
1.一种氮化物基的半导体发光元件,包含至少一第一导电率型态的氮化镓基的化合物半导体层及一第二导电率型态的氮化镓基的化合物半导体层堆叠在一基板上,其中一种含钯电极形成在该第二导电率型态的半导体层的上表面之主要区域,及一种含钯电极的上表面及侧表面与一种该第二导电率型态的半导体层之表面离其侧表面至少有预定宽度之区域内覆盖一导电屏蔽膜并且隔离大气或模型树脂。2.如申请专利范围第1项之氮化物基半导体发光元件,其中该含钯电极是透明的,同时该导电屏蔽膜是一透明的导电膜。3.如申请专利范围第2项的氮化物基半导体发光元件,其中一电极垫形成在该含钯电极上表面的区域上,以及该屏蔽膜更覆盖该电极垫的侧表面及上表面的外缘部份。4.如申请专利范围第1项之氮化物基半导体发光元件,其中该含钯电极是电阻性的,及该导电屏蔽膜可另外做为垫电极。5.如申请专利范围第1项之氮化物基半导体发光元件,其中该含钯电极包含单层或多层的金属薄膜。6.如申请专利范围第2项之氮化物基半导体发光元件,其中构成该导电屏蔽膜的该透明导电膜厚度至少为0.1微米及最多为30微米,同时该宽度至少为5微米。7.如申请专利范围第4项之氮化物基的半导体发光元件,其中该电极垫更可做为至少含金(Au)的该导电屏蔽膜以及具有一至少0.3微米及至多1.5微米的厚度,同时该宽度至少为5微米。图式简单说明:图1是表示根据本发明第一具体实施例的氮化镓基的化合物半导体元件之堆叠构造的横截面图式。图2是表示根据本发明第二具体实施例的氮化镓基的化合物半导体元件之堆叠构造的横截面图式。图3是表示根据本发明第三具体实施例的氮化镓基的化合物半导体元件之堆叠构造的横截面图式图4是表示根据本发明第四具体实施例的氮化镓基的化合物半导体元件之堆叠构造的横截面图式。图5是表示一传统氮化镓基的化合物半导体元件的堆叠构造的横截面图式。 |
