| 主权项 |
1.一种热电堆感测元件之制造方法,其至少包括下列步骤:提供一矽基板;沉积一第一牺牲层材料于该矽基板表面;罩幕定义并蚀刻去除部份该材料层以形成一第一牺牲层;沉积一第一绝缘层于该牺牲层与矽基板表面;沉积一热电材料层于该第一绝缘层表面;罩幕定义并蚀刻去除部份该材料层以形成一第一导线;沉积一第二绝缘层于该第一导线与该第一绝缘层之表面;去除部份该第二绝缘层,以形成复数个接触窗;沉积一第二热电材料层于该第二绝缘层之表面;罩幕定义并蚀刻去除部份该第二热电材料层以形成一第二导线,并透过该接触窗使该第二导线与该第一导线接触于复数个热端及冷端;沉积一第三绝缘层于该第二导线与该第二绝缘层之表面;蚀刻部份该第三绝缘层与该第二绝缘层,以使最后一条该第二导线之一部份裸露于外,用以连接至待形成之金属垫,而第一条该第一导线亦经由该第二导线连至待形成之一另一金属垫;沉积一第一金属层于该第三绝缘层之上;蚀刻部份该第一金属层以形成复数之金属垫;沉积一第四绝缘层于该第三绝缘层与金属垫之上;沉积一黑体层于该第四绝层之上,并以蚀刻或举离(Lift off)的方法定义出黑体吸收层,用以吸收入射的红外线;沉积一第五绝缘层于该第四绝缘层与该黑体吸收层之表面;蚀刻部份该第四、第五绝缘层,形成一打线窗,以露出复数之金属垫;形成一蚀刻孔贯穿该第五、第四、第三、第二与第一绝缘层,而使第一牺牲层之表面裸露于外;以及以牺牲层蚀刻与正面蚀刻技术并合之方法,经由该蚀刻孔对该矽基板进行蚀刻,以掏空部分该矽基板。2.如申请专利范围第1项所述之热电堆感测元件之制造方法,其中牺牲层之材料可为多晶矽或非晶矽等材料。3.一种热电堆感测元件,包括:一矽基板;一形成在矽基板表面之第一牺牲层;一沈积于矽基板与第一牺牲层表面之第绝缘层;一形成在第一绝缘层上之第一导线;一沈积于第一导线与第一绝缘层表面之第二绝缘层;复数个形成于第二绝缘层上之接触窗;一形成于第二绝缘层上,且与所述第一导线接触于复数个冷端及热端之第二导线;一沈积于第二导线与第二绝缘层表面之第三绝缘层;形成于第三绝缘层上多的数金属垫;所述最后一条第二导线与所述第一条第一导系直接或间接与金属垫相连;一沈积于第三绝缘层与金属垫上的第四绝缘层;一形成于第四绝缘层上之黑体吸收层;一沈积于第四绝缘层与黑体吸收层上之第五绝缘层;形成于第四、五绝缘层,以露出复数金属垫之打线窗;以及贯穿第五、第四、第三、第二与第一绝缘层而使第一牺牲层表面露出之蚀刻孔。4.如申请专利范围第3项之热电堆感测元件,其中可于中央浮板上制作一电阻线加热器,藉由外界输入电功率,而做为电子校正测量之用。5.如申请专利范围第3项之热电堆感测元件,其中电阻线加热器成辐射状。6.如申请专利范围第3项之热电堆感测元件,其中所述矽基板对着所述贯穿五、第四、第三、第二与第一绝缘层之蚀刻孔之处乃呈部份被掏空之状态。图式简单说明:第1图系为本发明之热电堆感测元件的上视图;第2图系为本发明之热电堆感测元件之延第1图A-A'切面之剖面图;第3图系为本发明之热电堆感测元件之延第1图B-B'切面之剖面图;第4(a)-4(o)图系为本发明所揭露之热电堆感测元件制造方法之延第1图A-A'切面的剖面图;第5(a)-5(o)图系为本发明所揭露之热电堆感测元件制造方法之延第1图B-B'切面的剖面图;第6(a)图系为传统热电堆结构之蚀刻进行状况之示意图;第6(b)图系为本发明之使用牺牲层与矽体型蚀刻并合制程之热电堆结构之蚀刻进行状况之示意图。 |
