| 主权项 |
1.一种半导体晶片之封装方法,其包含步骤有:提供一层板;黏贴至少一晶片之背面于该层板,而晶片之正面系形成有复数个焊垫;黏贴一电路板之黏晶面于晶片之正面上,其中该电路板具有在接合面之复数个端点,而晶片之焊垫系未被电路板所覆盖;电性连接晶片与电路板,使得晶片之焊垫导通至电路板之对应端点;以印刷方式涂施一热固性封胶体;及固化该封胶体。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中该层板系为一种具有晶片承座之导线架。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中该层板系为一金属板。4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中该层板系为一胶膜。5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中「黏贴电路板于晶片上」之步骤中,该电路板之端点系呈凸块状。6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中「电性连接晶片与电路板」之步骤中,系以打线方式将金属导线连接晶片与电路板。7.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中「电性连接晶片与电路板」之步骤中,系以热压合方式将ILB引指[Inner Lead Bonding lead]连接晶片与电路板。8.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其中「以印刷方式涂施一热固性封胶体」之步骤中,封胶体系覆盖电路板之接合面。9.如申请专利范围第8项所述之半导体晶片之封装方法,其另包含步骤有:「在固化封胶体」后,研磨在电路板接合面之封胶体,以露出电路板之端点。10.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其另包含步骤有:「在固化封胶体」后,焊接复数个焊球于该电路板之端点。11.如申请专利范围第1项所述之半导体晶片之封装方法,其另包含步骤有:「在固化封胶体」后,沿晶片间之间隙切割,以分离为个别之半导体装置。12.一种半导体封装结构,其包含有:一电路板,具有一黏晶面、一接合面,其中在接合面具有复数个端点;一晶片,具有一正面及一背面,其中正面系与电路板之黏晶面互相黏固,该晶片并在正面具有复数个焊垫;复数个电性连接装置,连接该晶片之焊垫与该电路板;及以印刷形成之一热固性封胶体,系密封上述之电性连接装置;及一金属板,黏固于晶片之背面。13.如申请专利范围第12项所述之半导体封装结构,其另包含复数个焊球,接合于电路板之端点。14.如申请专利范围第12项所述之半导体封装结构,其中该电性连接装置系为金属导线。15.如申请专利范围第12项所述之半导体封装结构,其中该电性连接装置系将ILB引指[Inner Lead Bonding lead]。16.如申请专利范围第12项所述之半导体封装结构,其中电路板之端点系呈凸块状。17.如申请专利范围第16项所述之半导体封装结构,其中封胶体系覆盖电路板之接合面。图式简单说明:第1图:在美国专利第5,776,796号「半导体封装结构之封胶方法」中,一半导体封装结构在置入框架内封胶之截面图;第2a图:在美国专利第6,160,311号「具散热增益性晶片尺寸封装方法及装置」中,其半导体封装方法在打线后之截面图;第2b图:在美国专利第6,160,311号「具散热增益性晶片尺寸封装方法及装置」中,其半导体封装方法在填充封胶体后之截面图;第2c图:在美国专利第6,160,311号「具散热增益性晶片尺寸封装方法及装置」中,其半导体封装方法在接球后之截面图;第3a图:依本发明之第一具体实施例,「提供一层板」之截面图;第3b图:依本发明之第一具体实施例,「黏贴晶片与电路板」之截面图;第3c图:依本发明之第一具体实施例,「电性连接晶片与电路板」之截面图;第3d图:依本发明之第一具体实施例,「印刷形成封胶体」之截面图;第3e图:依本发明之第一具体实施例,「焊接焊球」之截面图;第3f图:依本发明之第一具体实施例,一半导体封装结构之截面图;第4a图:依本发明之第二具体实施例,「提供一层板及黏贴晶片」之截面图;第4b图:依本发明之第二具体实施例,「黏贴电路板」之截面图;第4c图:依本发明之第二具体实施例,「电性连接晶片与电路板」之截面图:第4d图:依本发明之第二具体实施例,「印刷形成封胶体」之截面图;第4e图:依本发明之第二具体实施例,「研磨封胶体」之截面图;及第4f图:依本发明之第二具体实施例,一半导体封装结构之截面图。 |
