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1.一种形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体(Lateral Double-diffused MOS Transistor; LDMOS)的方法,系包含下列步骤:a.在一半导体基板上形成埋藏底层,其中所述埋藏底层之N型离子的掺杂浓度介于5E14离子/平方公分至5E15离子/平方公分之间;b.在所述埋藏底层之上形成N型磊晶层,其中所述N型磊晶层的掺杂浓度介于5E12离子/平方公分至5E13离子/平方公分之间;c.利用微影及离子布植技术形成P型井;d.形成场氧化矽层;e.在所述N型磊晶层上形成一层闸极氧化矽层;f.在所述闸极氧化矽层上形成一层复晶矽层,再利用微影与蚀刻技术形成闸极;g.利用微影及离子布値技术形成源极/汲极之N型掺杂区域;以及h.利用微影及离子布値技术形成源极/汲极之P型掺杂区域。2.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述埋藏底层系以离子布植技术所形成。3.如申请专利范围第2项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述子离子布植技术的布植能量介于80keV至120keV之间。4.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述埋藏底层系以磊晶技术所形成,并掺杂有N型杂质。5.如申请专利范围第4项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述埋藏底层的厚度介于0.1微米至0.5微米之间。6.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述N型磊晶层的厚度介于4.0微米至15.0微米之间。7.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,在形成所述P型井之后,更包含形成场氧化层P型掺杂的步骤。8.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中形成所述场氧化矽层的方法,系先在所述N型磊晶层之上陆续形成一层垫氧化矽层及一层氮化矽层,再利用微影与蚀刻技术定义出主动元件区,再利用热氧化技术形成场氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述场氧化矽层的厚度介于5000埃至10000埃之间。10.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述闸氧化矽层的厚度介于200埃至1000埃之间。11.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中所述复晶矽层的厚度介于3000埃至4500埃之间。12.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中形成所述源极/汲极之P型掺杂区域的离子布植技术之布値能量介于20keV至40keV之间。13.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中形成所述源极/汲极之P型掺杂区域的离子布植技术之掺杂浓度介于1E15离子/平方公分至5E15离子/平方公分之间。14.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中形成所述源极/汲极之N型掺杂区域的离子布植技术之布値能量介于60keV至100keV之间。15.如申请专利范围第1项所述之形成P型横向双扩散金氧半场效电晶体的方法,其中形成所述源极/汲极之N型掺杂区域的离子布植技术之掺杂浓度介于5E15离子/平方公分至5E16离子/平方公分之间。图式简单说明:图一为利用习知技术所形成之P型LDMOS的剖面示意图。图二为利用习知技术所形成之P型LDMOS的汲极电流-电压图。图三A为利用本发明之第一实施例形成埋藏层、磊晶层、隔绝区域及场氧化矽层的剖面示意图。图三B为利用本发明之第一实施例形成闸极的剖面示意图。图三C为利用本发明之第一实施例形成P型LDMOS的剖面示意图。图四为利用本发明之第一实施例所形成之LDMOS的汲极电流-电压图。图五A为利用本发明之第二实施例形成第一磊晶层、第二磊晶层、隔绝区域及场氧化矽层的剖面示意图。图五B为利用本发明之第二实施例形成闸极的剖面示意图。图五C为利用本发明之第二实施例形成P型LDMOS剖面示意图。图六为利用本发明之第二实施例所形成之LDMOS的汲极电流-电压图。 |
