| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有:隔着闸极绝缘膜形成于一导电型半导体基板上的闸极;与前述闸极之一端邻接的高浓度逆导电型源极领域;隔着前述通道领域与前述源极领域相对向而形成的低浓度逆导电型汲极领域;以及与前述闸极的另一端分开,且包含在前述低浓度逆导电型汲极领域内的高浓度逆导电型汲极领域;其特征在于:至少在从前述闸极附近至前述高浓度逆导电型汲极领域间的领域,形成有从前述闸极侧越向前述逆导电型汲极领域侧杂质浓度越高的中浓度逆导电型层。2.一种半导体装置,具有:隔着闸极绝缘膜形成于一导电型半导体基板上的闸极;与前述闸极之一端邻接的低浓度逆导电型源极/汲极领域;以及与前述闸极分开,且包含在前述低浓度逆导电型源极/汲极领域内的高浓度逆导电型源极/汲极领域;其特征在于:至少在从前述闸极附近至前述高浓度逆导电型汲极领域间的领域,形成有从前述闸极侧越向前述逆导电型汲极领域侧杂质浓度越高的中浓度逆导电型层。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中,前述中浓度逆导电型层形成于从前述闸极跨越至前述高浓度逆导电型汲极领域间或前述高浓度逆导电型源极/汲极领域间的领域。4.一种半导体装置之制造方法,具有:利用离子植入以于一导电型半导体基板上形成低浓度逆导电型汲极领域的步骤;于前述半导体基板全面形成闸极绝缘膜的步骤;于全面形成导电膜后使其图案化,然后形成至少重叠于前述汲极领域上方之闸极的步骤;利用离子植入以形成与前述闸极之一端邻接的高浓度逆导电型源极领域、以及与前述闸极的另一端分开,且包含在前述低浓度逆导电型汲极领域内的高浓度逆导电型汲极领域的步骤;以及至少在从前述闸极附近至前述高浓度逆导电型汲极领域间的领域,以离子植入方式形成从前述闸极侧越向前述逆导电型汲极领域侧杂质浓度越高的中浓度逆导电型层的步骤。5.一种半导体装置之制造方法,具有:利用离子植入以于一导电型半导体基板上形成低浓度逆导电型源极/汲极领域的步骤;于前述半导体基板全面形成闸极绝缘膜的步骤;于全面形成导电膜后使其图案化,然后形成至少重叠于前述源极/汲极领域上方之闸极的步骤;利用离子植入以形成与前述闸极分开,且包含在前述低浓度逆导电型源极汲极领域内的高浓度逆导电型源极/汲极领域的步骤;以及至少在从前述闸极附近至前述高浓度逆导电型汲极领域间的领域,以离子植入方式形成从前述闸极侧越向前述逆导电型汲极领域侧杂质浓度越高的中浓度逆导电型层的步骤。6.如申请专利范围第4项或第5项之半导体装置之制造方法,其中,前述中浓度逆导电型层的形成步骤系以覆盖前述闸极的光阻剂作为遮罩,然后从斜上方植入离子,而形成于从闸极附近跨越至前述高浓度逆导电型汲极领域间或前述高浓度逆导电型源极/汲极领域间的领域。7.如申请专利范围第4项或第5项之半导体装置之制造方法,其中,前述中浓度逆导电型层的形成步骤系由藉由植入离子,以贯穿前述闸极之侧壁部所形成的斜面形状侧壁绝缘膜,而形成于从闸极附近跨越至前述高浓度逆导电型汲极领域间或前述高浓度逆导电型源极/汲极领域间的领域。图式简单说明:第1图系本发明第1实施形态之半导体装置之制造方法的第1剖视图。第2图系本发明第1实施形态之半导体装置之制造方法的第2剖视图。第3图系本发明第1实施形态之半导体装置之制造方法的第3剖视图。第4图系本发明之半导体装置及习知半导体装置的各个基板电流(I Sub)-闸极电压(VG)特性图。第5图系本发明之半导体装置及习知半导体装置的汲极电流(ID)-汲极电压(VD)特性图。第6图系本发明之半导体装置及习知半导体装置的动作耐压示意图。第7图系本发明第2实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第8图系本发明第3实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第9图系本发明第4实施形态之半导体装置之制造方法的剖视图。第10图系习知半导体装置的剖视图。第11图系用来说明过去动作耐压会降低之机构的半导体装置之剖视图。第12图系习知寄生场效电晶体的等效电路图。第13图系用来说明过去动作耐压会降低之机构的正回授电路图。 |
