| 主权项 |
1.一种制作铜镶嵌结构的方法,该方法至少包括下列步骤:提供一具铜镶嵌结构并已完成前段制程之半导体底材;形成一蚀刻停止层于该半导体基材上;形成一阻障层于该蚀刻停止层上;形成一介电层于该阻障层上;于该介电层中形成开口以曝露出该铜镶嵌结构;及填入铜金属层于该开口中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成该蚀刻停止层于该半导体底材上之前,更包括形成各式元件或材料层于该半导体底材上之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该第一铜镶嵌结构为铜插塞(P1ug)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该蚀刻停止层之形成为使用包含四甲基矽烷(4MS)、三甲基矽烷(3MS)、二甲基矽院(4MS)、甲基矽烷(MS)之一或其任意组合和氨气(NH3)及氮气(N2)的混合气体为主要反应气氛之电浆化学气相沉积法所形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该蚀刻停止层之材料为含碳掺杂的氮化矽(SiCN)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该蚀刻停止层的厚度约为10埃至1000埃。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述该蚀刻停止层的厚度,最佳之实施例为500埃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该第一阻障层之形成为使用包含四甲基矽烷(4MS)、三甲基矽烷(3MS)、二甲基矽烷(2MS)、甲基矽烷(MS)之一或其任意组合和二氧化碳(CO2)及氧气(O2)的混合气体为主要反应气氛之电浆化学气相沉积法所形成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该阻障层之材料为含碳掺杂的氧化矽(SiCO)。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该阻障层的厚度约为10埃至1000埃。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述该阻障层的厚度,最佳之实施例为500埃。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该介电层可使用氧化矽、末掺杂矽玻璃(USG)、掺氟矽玻璃(FSG)、低介电値(低K値)材料其中之一来制作。13.一种制作铜镶嵌结构的方法,该方法至少包括下列步骤:提供一具铜镶嵌结构并已完成前段制程之半导体底材;形成一含碳掺杂氮化矽的蚀刻停止层于该半导体基材上;形成一含碳掺杂氧化矽的阻障层于该蚀刻停止层上;形成一介电层于该阻障层上;于该介电层中形成开口以曝露出该铜镶嵌结构;及填入铜金属层于该开口中。14.如申请专利范围第13项之方法,其中在形成该蚀刻停止层于该半导体底材上之前,更包括形成各式元件或材料层于该半导体底材上之步骤。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该第一铜镶嵌结构为铜插塞(P1ug)。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该蚀刻停止层之形成为使用包含四甲基矽炕(4MS)、三甲基矽烷(3MS)、二甲基矽炕(4MS)、甲基矽烷(MS)之一或其任意组合和氨气(NH3)及氮气(N2)的混合气体为主要反应气氛之电浆化学气相沉积法所形成。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该蚀刻停止层的厚度约为10埃至1000埃。18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述该蚀刻停止层的厚度,最佳之实施例为500埃。19.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该第一阻障层之形成为使用包含四甲基矽烷(4MS)、三甲基矽烷(3MS)、二甲基矽烷(2MS)、甲基矽烷(MS)之一或其任意组合和二氧化碳(CO2)及氧气(O2)的混合气体为主要反应气氛之电浆化学气相沉积法所形成。20.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该阻障层的厚度约为10埃至1000埃。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述该阻障层的厚度,最佳之实施例为500埃。22.如申请专利范围第13项之方法,其中上述该介电层可使用氧化矽、未掺杂矽玻璃(USG)、掺氟矽玻璃(FSG)、低介电値(低K値)材料其中之一来制作。图式简单说明:图一至图三为习知技艺之制作流程示意图。图四至图七为本发明之制作流程示意图。 |
