| 主权项 |
1.一种半导体封装件表面标记成形方法系包括:依标记的外形而绘制外围路径之步骤,该外围路径为依标记之外形而制绘之二维化路径,其大致上可表现出标记之概略外形;依标记的剩余空旷部份再绘制补充路径之步骤,该补充路径为利用二维化路径以补足标记在外围路径以外之剩余空旷部份;以及,使雷射源沿着该外围路径及补充路径所形成之二维最佳化路径对被加工物进行雷射雕刻之步骤,俾藉以于半导体封件表面上获致深度平均而清晰、外形流畅而美观之雷射标记者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体封装件表面标记成形方法,其所述之外围路径可呈连续性回圈状之二维路径者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体封装件表面标记成形方法,其所述之补充路径可以为一个或一个以上,且其均呈连续性回圈状之二维路径者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体封装件表面标记成形方法,其所述之补充路径可以为一个或一个以上,且其均呈非回圈状之二维路径者。5.如申请专利范围第1或2项所述之半导体封装件表面标记成形方法,其所述之补充路径可以为一个或一个以上,且其包括呈连续性回圈状之二维路径及呈非回圈状之二维路径者。6.一种半导体封装件表面标记成形方法系包括:依标记的外形而绘制外围路径之步骤,该外围路径为依标记之外形而制绘之二维化路径,且其呈连续性回圈状而可表现出标记之全部外形;以及使雷射源沿着该外围路径及补充路径所形成之二维最佳化路径对被加工物进行雷射雕刻之步骤,俾藉以于半导体封件表面上获致深度平均而清晰、外形流畅而美观之雷射标记者。图式简单说明:第一图,系显示一个S字形,藉以指出习用单向横列式路径之加工方式。第二图,系显示一个S字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第三图,系显示一个A字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第四图,系显示一个K字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第五图,系显示一个M字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第六图,系显示一个S字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第七图,系显示一个L字形,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。第八图,系显示一个图形标记,藉以表达本发明二维最佳化路径之加工方式。 |
