| 主权项 |
1.一种光罩图案修正方法,包含:第1程序,求取半导体晶圆上的第1图案尺寸与图案设计尺寸的相关系数;第2程序,求取该半导体晶圆上的第1图案尺寸之图案疏密依存性;第3程序,以上述相关系数除图案疏密依存性,而求得第2图案尺寸与图案疏密依存性;第4程序,以所望之图案尺寸作为基准,依作成光罩的描绘装置之描绘格子宽度,分割上述第2图案尺寸与图案疏密依存性,而抽出显现于上述光罩描绘格子上的该第2图案尺寸与图案疏密依存性上之点,求取图案接近度与导自于基准的图案尺寸差;及第5程序,依上述图案接近度进行和上述导自于基准的图案尺寸差最接近的该描绘格子宽度之整数倍的修正。2.如申请专利范围第1项之光罩图案修正方法,其中,于上述第3程序,系将上述图案疏密依存性分别除以对应于各图案之疏密的上述相关系数,而得到上述第2图案尺寸与图案疏密依存性。3.如申请专利范围第2项之光罩图案修正方法,其中,于上述第5程序,系将上述第2图案尺寸与图案疏密依存性,以所望之値作为基准,依此基准施以修正。4.如申请专利范围第2项之光罩图案修正方法,其中,于上述第5程序,系将上述第2图案尺寸与图案疏密依存性,以所望之图案尺寸上述光罩描绘格子宽度的二分之一作为基准,依此基准施以修正。5.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数与图案疏密依存性系藉由电性方式测定或使用扫瞄型电子显微镜而获得者。6.如申请专利范围第4项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数与图案疏密依存性系藉由电性方式测定或使用扫瞄型电子显微镜而获得者。7.如申请专利范围第1项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系在图案间距为一定的情形下获得者。8.如申请专利范围第2项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系在图案间距为一定的情形下获得者。9.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系在图案间距为一定的情形下获得者。10.如申请专利范围第4项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系在图案间距为一定的情形下获得者。11.如申请专利范围第1项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系依各自的图案疏密而获得者。12.如申请专利范围第2项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系依各自的图案疏密而获得者。13.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系依各自的图案疏密而获得者。14.如申请专利范围第4项之光罩图案修正方法,其中,上述相关系数系依各自的图案疏密而获得者。15.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系依上述图案的宽度,对复数之不同的图案宽度,作成复数之修正表,对应于上述不同的图案宽度,依照该复数之修正表,而进行修正。16.如申请专利范围第4项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系依上述图案的宽度,对复数之不同的图案宽度,作成复数之修正表,对应于上述不同的图案宽度,依照该复数之修正表,而进行修正。17.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系对于一个图案,在到邻接之图案为止的距离有二个以上之场合,在有接差之条件下,对于一个图案依照一个修正表,而采用二个以上之修正値。18.如申请专利范围第4项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系对于一个图案,在到邻接之图案为止的距离有二个以上之场合,在有接差之条件下,对于一个图案依照一个修正表,而采用二个以上之修正値。19.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系依上述图案的宽度,对复数之不同的图案宽度,作成复数之修正表,且对于一个图案,在到邻接之图案为止的距离有二个以上之场合,在有接差之条件下,对于一个图案依照一个修正表,而采用二个以上之修正値。20.如申请专利范围第3项之光罩图案修正方法,其中,上述第5程序系依上述图案的宽度,对复数之不同的图案宽度,作成复数之修正表,且对于一个图案,在到邻接之图案为止的距离有二个以上之场合,在有接差之条件下,对于一个图案依照一个修正表,而采用二个以上之修正値。21.一种光罩图案修正方法,包含:第1程序,求取半导体晶圆上的图案尺寸与图案设计尺寸的相关系数;及第2程序,求取该半导体晶圆上的第1图案尺寸之图案疏密依存性;第3程序,以上述相关系数除图案疏密依存性,而求得第2图案尺寸与图案疏密依存性;第4程序,以等于所望尺寸之图案尺寸作为基准,依作成光罩的描绘装置之描绘格子宽度,分割上述第2图案尺寸与图案疏密依存性,而抽出显现于上述光罩描绘格子上的该第2图案尺寸与图案疏密依存性上之点,求取图案接近度与导自于基准的图案尺寸差;及第5程序,依上述图案接近度进行和上述导自于基准的图案尺寸差最接近的该描绘格子宽度之整数倍的修正;于复数之不同工场间、生产线间、制造装置间因图案疏密所致之最大尺寸差在2光罩描绘装置的最小描绘格子宽度上述修正系数以内之场合,于各自之工场间、生产线间、制造装置间使用之光罩系相同,而施行修正。22.如申请专利范围第21项之光罩图案修正方法,其中,于复数之不同工场间、生产线间、及/或制造装置间因图案疏密所致之最大尺寸差较2光罩描绘装置的最小描绘格子宽度上述修正系数为大之场合,于各自之工场间、生产线间、制造装置间使用之光罩系相同,而依相异线宽的修正表施行修正。23.如申请专利范围第21项之光罩图案修正方法,其中,上述图案疏密依存性系采用在上述工场间、生产线间、制造装置间所得到之相异图案疏密依存性的平均値。24.一种曝光光罩,其系用于申请专利范围第1项之光罩图案修正方法中。25.一种曝光光罩,其系用于在申请专利范围第21项之光罩图案修正方法中。图式简单说明:图1为系用以说明依本发明的实施形态1之光罩图案修正方法的流程图。图2为系用以说明依本发明的实施形态1之光罩图案修正方法的图式,表示导出修正系数之过程。图3为系用以说明依本发明的实施形态1之光罩图案修正方法的图式,表示ACLV的电性特性。图4为表示实施形态1之光罩修正规则的图式。图5为显示采习用的修正方式(L.W. Liebman等人所提出之Buckets修正方式)及采实施形态1的修正方式完成修正后的逻辑器件之闸层中之实际图案长度测定値的图式。图6为系用以说明依本发明的实施形态2之光罩图案修正方法的流程图。图7为系用以说明依本发明的实施形态2之光罩图案修正方法的图式,表示ACLV的电性特性。图8为系用以说明依本发明的实施形态3之光罩图案修正方法的流程图。图9为系用以说明依本发明的实施形态3之光罩图案修正方法的图式,表示ACLV的电性特性。图10为概略显示半导体器件的生产线之一例的图式。图11为用以说明依本发明之实施形态3的光罩图案修正方法的ACLV之电性特性图。图12为系用以说明依本发明的实施形态4之光罩图案修正方法的图式,表示ACLV的电性特性。图13为表示实施形态4之光罩修正规则的图式。图14为表示实施形态4之光罩修正规则的图式。图15为表示实施形态4之光罩修正规则的图式。图16为表示依本发明之实施形态5之最终尺寸长度测定TEG之一例的图式。图17为表示实施形态5之光罩修正规则的图式。图18为表示被称为ACLV之最终尺寸长度测定TEG之一例的图式。图19为显示依L.W. Liebman等人所提出之Buckets习用修正方式的ACLV的电性特性图。图20为显示依L.W. Liebman等人所提出之Buckets习用修正方式的光罩修正规则的图式。图21为用以说明各程序与修正系数之关系的图式。图22为用以说明在光刻程序的尺寸直线性之图式。 |
