| 主权项 |
1.一种用于对齐埋入带扩散物之方法,包含下列步骤:配置沟渠于基板中,该沟渠具有储存节点形成于其内,而含有埋入带于该储存节点之顶部;沈积掺杂物富饶材料于该埋入带之上;形成沟渠顶部电介质于该掺杂物富饶材料之上;去除该沟渠顶部电介质上方之部分掺杂物富饶材料;以及藉形成闸极于该沟渠之上方部分中来外扩散掺杂物自掺杂物富饶材料至该基板之毗邻区之内而形成埋入带扩散,使得埋入带扩散系操作性地相对该闸极而配置。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂物富饶材料含有砷矽酸盐玻璃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积掺杂物富饶材料于埋入带之上的步骤含有沈积该掺杂物富饶材料有5奈米与20奈米间之厚度的步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中外扩散掺杂物之步骤尚含有形成牺牲氧化物及闸极电介质以用于形成闸极使得掺杂物在处理期间外扩散之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂物富饶材料及该沟渠顶部电介质会形成顶部表面于该沟渠之内,该方法尚包含形成电介质帽于该沟渠顶部电介质之上及形成该掺杂物富饶材料于该沟渠中之顶部表面处之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该电介质帽含有氮化物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该沟渠系使用于沟渠电容器。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该沟渠系使用于埋入之位元线。9.一种用于对齐埋入带扩散物之方法,包含下列步骤:配置沟渠于基板中,该沟渠具有储存节点形成于其中而含有埋入带于该储存节点之顶部;沈积掺杂物富饶材料于该埋入带之上;沈积电介质层于该掺杂物富饶材料之上;形成沟渠顶部电介质于该电介质层之上;去除在该沟渠顶部电介质上方之部分掺杂物富饶材料及电介质层;以及藉形成闸极于该沟渠之上方部分中来外扩散掺杂物富饶材料至该沟渠之毗邻区之内而形成埋入带扩散,使得该埋入带扩散物相对于该闸极而操作性地配置。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该掺杂物富饶材料含有砷矽酸盐玻璃。11.如申请专利范围第9项之方法,其中沈积掺杂物富饶材料于该埋入带之上的步骤含有沈积该掺杂物富饶材料有5奈米与20奈米间之厚度的步骤。12.如申请专利范围第9项之方法,其中外扩散掺杂物之步骤尚含有形成牺牲氧化物及闸极电介质以用于形成闸极使得掺杂物在处理期间外扩散之步骤。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该电介质材料含有氮化物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该氮化物含有3奈米与15奈米间之厚度。15.如申请专利范围第9项之方法,其中该沟渠使用于沟渠电容器。16.如申请专利范围第9项之方法,其中该沟渠使用于埋入之位元线。17.一种半导体装置,包含:基板,含有沟渠于其中,该沟渠具有储存节点形成于其中而含有埋入带于该储存节点之顶部;掺杂物富饶材料,形成于该埋入带之上;沟渠顶部电介质,形成于该掺杂物富饶材料之上;藉外扩散来自掺杂物富饶材料之掺杂物至该基板之毗邻区之内而形成埋入带扩散,该基板之毗邻区系相对于形成在该沟渠之上方部分中之闸极导体而操作性地配置。18.如申请专利范围第17项之半导体装置,尚包含电介质帽层,形成于该沟渠顶部电介质之上以用于防止来自掺杂物富饶材料之掺杂物自动扩散于该沟渠之侧壁。19.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中该电介质帽层含有氮化物。20.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该电介质帽层含有氮化物。21.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该掺杂物富饶材料含有5奈米与20奈米间之厚度。22.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该沟渠系使用于沟渠电容器。23.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该沟渠系使用于理入带之位元线。24.如申请专利范围第17项之半导体装置,尚包含氮化物衬垫,配置于该掺杂物富饶材料与该沟渠顶部电介质之间,用以阻断掺杂物进入该沟渠顶部电介质。图式简单说明:第1图系两记忆体单元之部分的横剖面图,显示根据习知技术之埋入带扩散的对齐之重要参数;第2图系使用于深沟渠电容器之沟渠结构的横剖面图;第3图系横剖面图,显示沈积在根据本发明之第2图结构上之掺杂物富饶材料;第4图系横剖面图,显示形成在根据本发明之第3图结构上之沟渠顶部电介质;第5图系横剖面图,显示形成在根据本发明之第4图结构上之电界质帽层;第6图系横剖面图,显示形成在根据本发明之第5图结构中用于从水平顶部表面去除层之光阻;第7图系横剖面图,显示根据本发明之第6图结构上之埋入带扩散之布植及初始形成;第8图系横剖面图,显示形成在根据本发明之第7图结构上之闸极导体;第9图系横剖面图,显示形成在根据本发明之第8图结构上之沟渠顶部电介质;第10图系横剖面图,显示形成在根据本发明完成的沟渠电容器记忆体单元;第11图系本发明另一实施例之横剖面图,显示根据本发明之形成于沟渠顶部电介质与掺杂物富饶材料间的电介质层;第12图系第11图实施例之横剖面图,显示根据本发明之置于凹处之电介质层及掺杂物富饶材料;以及第13图系横剖面图,显示利用本发明之堆叠电容器记忆体单元。 |
