凸块电性接点建构的方法

摘要

一种凸块电性接点建构的方法，可应用于晶圆之凸块成长(Wafer Bumping)、BGA(Ball Grid Array)基板之凸块成长或TAB(Tape Automated Bonding)接脚(Lead)之凸块成长等。本发明将一基板对位固定于一基座上。再将固定于一框架上的模板对位结合于该基座上，其中该模板系已预形成有复数个对应该晶圆上之电性连接垫(I/O Pad)之孔洞。然后，可将焊料膏涂布于该孔洞后直接进行回焊以完成凸块成长，或是以波焊方式来进行凸块成长。本方法可适用于高I/O数之凸块成长，不仅制作效率高且由于该模板系可重覆使用因此成本较低。

主权项

1.一种凸块电性接点建构的方法,该方法系在一基板之电性连接垫(I/O Pad)上成长焊料凸块,至少包含下列步骤:提供一固定于一框架上之模板,该模板具有复数个对应该电性连接垫之孔洞;提供一基座,其可与该框架相对位结合;将该基板对位放置并固定于该基座上;将该框架与该基座对位结合;将焊料膏涂布于该模板之孔洞;进行回焊制程使该焊料膏熔融而成为长在该电性连接垫上之焊料凸块;以及将该模板分离并取出该完成凸块成长之基板。2.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中将焊料膏涂布于该模板之孔洞系以刮刀(squeegee)来达成。3.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一晶圆。4.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一BGA基板。5.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一卷带。6.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该模板的材质为聚亚醯胺。7.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该模板的材质为玻璃。8.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基座系以真空吸附的方式固定该基板。9.如申请专利范围第1项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基座与该框架藉由定位锁及定位孔相对位结合。10.一种凸块电性接点建构的方法,该方法系在一基板之电性连接垫(I/O Pad)上成长焊料凸块,至少包含下列步骤:提供一基座;将该基板放置并固定于该基座上;将该基座翻转后置放于一输送带上;以及以波焊方式使焊料附着于该电性连接垫上形成焊料凸块。11.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一晶圆。12.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一BGA基板。13.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基板为一卷带。14.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该模板的材质为聚亚醯胺。15.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该模板的材质为玻璃。16.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基座以至少一个固定销固定该基板。17.如申请专利范围第10项所述之凸块电性接点建构的方法,在进行波焊的步骤前更包含下列步骤:提供一固定于一框架上之模板,该模板具有复数个对应该电性连接垫之孔洞;以及将该框架与该基座对位结合,使该基板夹置于该模板与该基座之间。18.如申请专利范围第17项所述之凸块电性接点建构的方法,在该框架与该基座对位结合固定之前,该基座以真空吸附的方式吸附固定该基板。19.如申请专利范围第17项所述之凸块电性接点建构的方法,更包含:以一刮除工具或高压空气刀将该模板上多余焊料去除的步骤。20.如申请专利范围第17项所述之凸块电性接点建构的方法,其中该基座与该框架藉由定位锁及定位孔相对位结合图式简单说明:第1A-1F图,为根据本发明之凸块电性接点建构的方法之第一个实施例之流程示意图。第2A-2E图,为根据本发明之凸块电性接点建构的方法之第二个实施例之流程示意图。第3A-3E图,为根据本发明之凸块电性接点建构的方法之第三个实施例之流程示意图。