| 主权项 |
1.一种电晶体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,且该基底已形成有一闸氧化层、一多晶矽层、该多晶矽层与该闸氧化层侧壁之一补偿间隙壁与一源极/汲极区;在该基底上形成一共形介电层,覆盖住该多晶矽层、该补偿间隙壁与该源极/汲极区;在该补偿间隙壁上之该共形介电层上形成一间隙壁;去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层,以使该多晶矽层与该源极/汲极区暴露出来;以及进行一选择性磊晶矽长晶制程,以在该多晶矽层与该源极/汲极区上形成一磊晶矽层,其中该多晶矽层上之该磊晶矽层、该多晶矽层与该闸氧化层系组成一T型闸极结构。2.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程系通入流量为0.03L/min至0.5L/min之二氯矽乙烷、流量为15L/min至25L/min之氢气与流量为0.02L/min至0.1L/min之氯化氢。3.如申请专利范围第2项所述之电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程之温度为摄氏700度至摄氏850度。4.如申请专利范围第2项所述之电晶体的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程之压力为5torr至30torr。5.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层之方法系以氢氟酸去除。6.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中于去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层之后,更包括通入氢气以避免该多晶矽层与该源极/汲极区之表面形成一原生氧化层。7.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中形成该间隙壁之方法包括:在该共形介电层上形成一共形材料层;以及回蚀刻该共形材料层,以形成该间隙壁。8.如申请专利范围第7项所述之电晶体的制造方法,其中形成该共形材料层之方法系选自快速加热化学气相沈积法与原子层化学气相沈积法其中之一。9.如申请专利范围第8项所述之电晶体的制造方法,其中该共形材料层之材质包括氮化矽。10.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中该共形介电层之材质包括氧化矽。11.如申请专利范围第10项所述之电晶体的制造方法,其中该共形介电层之厚度为50埃至150埃左右。12.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中该补偿间隙壁之材质包括氧化矽。13.如申请专利范围第12项所述之电晶体的制造方法,其中该补偿间隙壁之厚度为150埃至250埃左右。14.一种T型闸极结构的制造方法,包括下列步骤:提供已图案化之一多晶矽层;在该多晶矽层之侧壁形成一补偿间隙壁;在该多晶矽层与该补偿间隙壁上形成一共形介电层;在该补偿间隙壁上之该共形介电层上形成一间隙壁;去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层,以使该多晶矽层暴露出来;以及进行一选择性磊晶矽长晶制程,以使该多晶矽层上形成一磊晶矽层,其中该多晶矽层与该磊晶矽层系组成一T型闸极结构。15.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程系通入流量为0.03L/min至0.5L/min之二氯矽乙烷、流量为15L/min至25L/min之氢气与流量为0.02L/min至0.1L/min之氯化氢。16.如申请专利范围第15项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程之温度为摄氏700度至摄氏850度。17.如申请专利范围第15项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该选择性磊晶矽长晶制程之压力为5torr至30torr。18.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层之方法系以氢氟酸去除。19.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中于去除未被该间隙壁所覆盖之该共形介电层之后,更包括通入氢气以避免该多晶矽层与该源极/汲极区之表面形成一原生氧化层。20.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中形成该间隙壁之方法包括:在该共形介电层上形成一共形材料层;以及回蚀刻该共形材料层,以形成该间隙壁。21.如申请专利范围第20项所述之T型闸极结构的制造方法,其中形成该共形材料层之方法系选自快速加热化学气相沈积法与原子层化学气相沈积法其中之一。22.如申请专利范围第21项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该共形材料层之材质包括氮化矽。23.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该共形介电层之材质包括氧化矽。24.如申请专利范围第23项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该共形介电层之厚度为50埃至150埃左右。25.如申请专利范围第14项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该补偿间隙壁之材质包括氧化矽。26.如申请专利范围第25项所述之T型闸极结构的制造方法,其中该补偿间隙壁之厚度为150埃至250埃左右。图式简单说明:第1A图至第1E图是依照本发明一较佳实施例之电晶体的制造流程剖面示意图。 |
