| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,其特征为对应于所输入之各资讯资料,按照检查位元产生行列产生用于订正错误的错误订正码,上述检查位元产生行列具有:检查位元产生电路,其包含奇数个行列,满足使各列为"1"的要素产生检查位元至少需要的数量;存储部,其系记录有上述资讯资料与上述检查位元产生电路所产生之错误订正码,存储记录之上述资讯资料及上述错误订正码;记录电路,其系将上述资讯资料及上述错误订正码记录上述存储部内;删除电路,其系删除存储在上述存储部内之上述资讯资料及上述错误订正码;读出电路,其系读出存储在上述存储部内之上述资讯资料及上述错误订正码;检查电路,其系按照上述读出电路所读出之上述错误订正码,检查上述读出电路所读出之资讯资料有无错误;及订正电路,其系当上述检查电路的检查结果发现有错误时,对有错误的资讯资料执行订正。2.如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆装置,其中上述删除电路个别删除存储在上述存储部内之上述资讯资料及上述错误订正码。3.如申请专利范围第1或2项之非挥发性半导体记忆装置,其中上述读出电路个别读出存储在上述存储部内之上述资讯资料及上述错误订正码。图式简单说明:图1为本发明一种实施形态之非挥发性半导体记忆装置的构成图。图2为检查行列式的一种范例。 |
