| 主权项 |
1.一种喷墨头晶片制造方法,该方法之步骤矽包括:(1)在矽基材上形成一层热障层;(2)在热障层上形成电阻层与第一导电层二层薄膜;(3)定义第一导电层之尺寸;(4)定义电阻层之尺寸;(5)形成保护层于电阻层与第一导电层之二层薄膜上;(6)在保护层定义介层洞(Via Hole)及其尺寸;(7)在介层洞上形成接着层与第二导电层,并定义其尺寸。2.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该热障层之材质可为二氧化矽(SiO2)。3.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该热障层系以高温扩散炉、化学气相沈积(CVD)或其他等同性质方式形成。4.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该热障层之厚度为2000至15000A(1A=10-10m),以10000A为最佳实施态。5.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,电阻层与第一导电层二层薄膜的形成,系以溅镀或其他等同性质方式连续形成。6.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该电阻层14之材质可为钽铝合金(Ta-Al)。7.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该第一导电层之材质可为铝铜合金(Al-Cu)。8.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该电阻层之材质可另为含有钽(Ta)、铪(Hf)、钒(V)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、锶(Sr)、钇(Y)、钡(Ba)等金属之合金或化合物,以及多晶矽和矽化物。9.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该电阻层之厚度为700至1500A,以1000A为最佳实施态。10.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该第一导电层之材质可另为铝(Al)、钛(Ti)、钨(W)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钽(Ta)及其合金,以及多晶矽和矽化物。11.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该第一导电层之厚度为3000至7000A,以5000A为最佳实施态。12.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该电阻层与第一导电层是以黄光及蚀刻方式定义尺寸,其中,蚀刻方式可为乾式蚀刻或湿式蚀刻。13.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该保护层的形成,系以溅镀、化学蒸镀或其他等同性质方式形成。14.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该保护层之材质可为氮化矽(Si3N4)。15.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该保护层之材质可为碳化矽(SiC)。16.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该保护层之厚度为4000至8000A,以6000A为最佳实施态。17.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该介层洞是以黄光及蚀刻方式定义尺寸,其中,蚀刻方式可为乾式蚀刻或湿式蚀刻。18.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该接着层与第二导电层的形成,系以溅镀、化学蒸镀、电镀或其他等同性质方式形成。19.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该接着层之材质可为钽(Ta)。20.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该接着层之厚度为1000至8000A,以1500A为最佳实施态。21.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该第二导电层之材质可为金(Au)。22.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该第二导电层之厚度为3000至7000A,以3500 A为最佳实施态。23.如申请专利范围第1项所述之喷墨头晶片制造方法,其中,该接着层与第二导电层是以黄光及蚀刻方式定义尺寸,其中,蚀刻方式可为乾式蚀刻或湿式蚀刻。图式简单说明:第1图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(1)示意图。第2图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(2)示意图。第3图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(3)示意图。第4图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(4)示意图。第5图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(5)示意图。第6图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(6)示意图。第7-1至7-3图是本发明喷墨头晶片制造方法较佳实施例的步骤(7)示意图。 |
