| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,其系利用在被处理基板与邻接于该被处理基板之主里面之材料(23;41)可以施加偏压电力之电浆处理装置之电浆处理方法,其特征为包含以下之步骤:设置载置电浆被处理基板之电极;以及由电浆射入被处理基板(晶圆)之电子在面内成为均匀地,因应前述电极之场所改变偏压电力之之供电阻抗。2.一种电浆处理方法,其系制造半导体装置用之电浆处理装置之电浆处理方法,其特征为包含以下之步骤:在被处理基板与邻接于该被处理基板之材料施加偏压电力;以及调整对于邻接在前述被处理基板之材料之前述偏压电力之供给阻抗;以及使由射入基板内之电浆来之电子在面内成为均匀地调整对于前述被处理基板内之复数之位置之前述偏压电力之供电阻抗。3.如申请专利范围第2项记载之电浆处理方法,其中前述处理基板系半导体晶圆,所述基板邻接材料系包围前述半导体晶圆之导电性环。4.一种电浆处理装置,其系制造半导体装置用之电浆处理装置,其特征为包含:在被处理基板与邻接于该被处理基板之材料施加偏压电力之手段;以及调整对于邻接在前述被处理基板之材料之前述偏压电力之供给阻抗之手段;以及使由射入基板内之电浆来之电子在面内成为均匀地调整对于前述被处理基板内之复数之位置之前述偏压电力之供电阻抗之手段。5.一种电浆处理装置,其系利用电浆加工产品之电浆处理装置,其特征为包含:在被处理基板与邻接于该被处理基板之材料(23;42)施加偏压电力之手段(26);以及使由射入基板内之电浆来之电子在面内成为均匀地差别化调整对于前述被处理基板内之不同之位置之前述偏压电力之供电阻抗之第1调整手段(23,24.25;41,43,44)。6.如申请专利范围第5项记载之电浆处理装置,其中前述第1调整手段系作用为在电极面内确立高频电压之振幅差。7.如申请专利范围第5项记载之电浆处理装置,其中前述第1调整手段系被设置在搭载前述被处理基板之前述电极与前述被处理基板之间,包含:由复数之厚层或材料形成之绝缘层(23A;41A),以及偏压电力之第1供电线(24;42),以及被设置于该绝缘层之至少1层中,而且,被接续于被与前述电极绝缘之偏压电力之第1供电线之导电性材料(23;41)。8.如申请专利范围第5项记载之电浆处理装置,其中包含调整对于邻接在前述被处理基板之材料之前述偏压电力之供电阻抗之第2调整手段(28.29.30)。9.如申请专利范围第8项记载之电浆处理装置,其中前述第2调整手段系被设置在搭载前述被处理基板之前述电极与邻接前述被处理基板之材料之间,包含:由复数之厚层或材料形成之绝缘层(22B),以及偏压电力之第2供电线(29),以及被设置于该绝缘层之至少1层中,而且,被接续于被与前述电极绝缘之前述第2供电线之导电性材料(28)。10.一种电浆处理装置,其系具有:处理室,以及于该处理室施加高频之手段,以及处理用气体供给手段,以及被设置于处理室内,构成载置被处理基板之电极之电极副系统之电浆处理装置,其特征为:前述电极副系统包含:在被处理基板与邻接于该被处理基板之材料施加偏压电力之手段(26);以及使由射入基板内之电浆来之电子在面内成为均匀地差别化调整对于前述被处理基板内之不同之位置之前述偏压电力之供电阻抗之第1调整手段(23,24.25);以及调整对于邻接在前述被处理基板之材料之前述偏压电力之供电阻抗之第2调整手段(28.29.30);前述第1调整手段系被设置在搭载前述被处理基板之前述电极与前述被处理基板之间,包含:由复数之厚层或材料形成之绝缘层,以及偏压电力之第1供电线(24),以及被设置于该绝缘层之至少1层中,而且,被接续于被与前述电极绝缘之偏压电力之第1供电线之导电性材料(23);前述第2调整手段系被设构在搭载前述被处理基板之前述电极与邻接所述被处理基板之材料之间,包含:由复数之厚层或材料形成之绝缘层,以及偏压电力之第2供电线(29),以及被设置于该绝缘层之至少1层中,而且,被接续于被与前述电极绝缘之前述第2供电线之导电性材料(28)。11.一种电浆处理方法,其系利用电浆处理试料之电浆处理方法,其特征为包含以下之步骤:将前述试料配置于处理室内之试料台;以及于前述处理室内产生电浆;以及对配置前述试料之前述试料台施加偏压电力;以及使由前述电浆对前以试料之电子之射入在前述试料之面内均匀地,于前述试料台之而述试料配置面内改变偏压电力之供电阻抗。12.一种电浆处理方法,其系利用电浆处理试料之电浆处理方法,其特征为包含以下之步骤:将前述试料配置于处理室内之试料台;以及于前述处理室内产生电浆;以及对配置前述试料之前述试料台以及在前述试料里面内般与前述试料台电气地绝缘而设置之电极施加偏压电力;以及使由前述电浆对前述试料之电子之射入在前述试料之面内均匀地,于前述试料向与前述电极中改变偏压电力之供电阻抗。13.一种电浆处理方法,其系制造半导体装置用之电浆处理方法,其特征为包含以下之步骤:将基板配置于处理室内之试料台;以及于前述处理室内产生电浆;以及对配置前述基板之前述试料台以及在前述基板里面内被与前述试料台电气地绝缘而设置之电极以及邻接于前述基板之基板邻接构件施加偏压电力;以及使由前述电浆对前述基板之电子之射入在前述基板之面内均匀地,于前述试料台与前述电极与前述基板邻接构件中改变偏压电力之供电阻抗。14.如申请专利范围第3项记载之电浆处理方法,其中前述基板系半导体晶圆,前述基板邻接构件系包围半导体晶圆之导电性环。15.一种电浆处理装置,其系利用电浆处理试料之电浆处理装置,其特征为包含以下:内部产生电浆之处理室;以及在前述处理室内配置试料之试料台;以及被设置在配置前述试料之前述试料台,在前述试料里面内被与前述试料台电气地绝缘而设置之电极;以及对配置前述试料之前述试料台以及前述电极施加偏压电力之手段;以及使由前述电浆对前述基板之电子之射入在前述试料之面内均匀地,于前述试料台与前述电极中改变偏压电力之供电阻抗。16.一种电浆处理装置,其系制造半导体装置用之电浆处理装置,其特征为包含以下:内部产生电浆之处理室;以及在前述处理室内配置试料之试料台;以及被设置在配置前述试料之前述试料台,在前述试料里面内被与前述试料台电气地绝缘而设置之电极;以及被设置于前述试料台,邻接于前述基板之基板邻接构件;以及对配置前述试料之前述试料台以及前述电极与前述基板邻接构件施加,偏压电力之手段;以及对于使由前述电浆对前述基板之电子之射入在前述试料之而内均匀之前述试料台,调整对前述电极之偏压电力之供电阻抗之第1调整手段以及对于前述试料台,调整对于前述基板邻接构件之偏压电力之供电阻抗之第2调整手段。17.如申请专利范围第16项记载之电浆处理装置,其中前述基板系半导体晶圆,前述基板邻接构件系包围前述半导体晶圆之导电性环。图式简单说明:图1系显示闸极氧化膜之厚度与耐电压之关系图。图2系本发明之一实施例之乾蚀刻装置之纵剖面图。图3系显示矽环9之外径为晶圆面径之1.4倍时之矽氧化膜与底层矽之选择比之晶圆面内分布图。图4系显示使矽环9之外径为晶圆直径之1.2倍程度时之矽氧化膜与底层矽之选择比之晶圆面内分布图。图5系矽环直径为晶圆直径之1.2倍之情形之耐压直方图。图6系矽环9之外径为晶圆直径之1.4倍之情形之耐压直方图。图7系显示由晶圆设置电极与矽环形成之本发明之实施例之纵剖面图。图8系依据本发明之其它实施例之乾蚀刻装置之剖面图。图9系显示图8之装置中,使用习知之晶圆载置电极组装体时之晶片损伤产生例。图10系使用于图8之装置之依据本发明之别的实施例之晶圆载置电极细装体之模型图。 |
