| 主权项 |
1.一种半导体装置之金属线之沉积方法,其包括下列步骤:准备一形成有介电层之半导体晶圆,介电层上设有通孔;将晶圆放置于沉积室内;及藉单一制程将金属沉积于晶圆上俾充填通孔,其中当晶圆在初期温度时即开始沉积金属,此沉积作业在晶圆被加热到大于初期温度之目标温度期间系持续进行。2.如申请专利范围第1项之方法,其中金属系包括铝,钨,金及铜之一。3.如申请专利范围第1项之方法,其中金属系包括铝,而初期温度系约为150℃,目标温度约为350℃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中放置晶圆于沉积室之步骤包括在开始帆积步骤之前藉夹盘固定晶圆之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中放置晶圆于沉积室之步骤包括将晶圆置于加热用之热表面之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中放置晶圆于加热用之热表面之步骤包括在沉积步骤进行期间,调整热表面之温度俾控制晶圆温度之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中另包括蚀刻在晶圆表面上之金属俾形成金属线之步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中沉积步骤系于110秒内进行完毕。9.一种半导体装置之金属线及接点之沉积方法,其包括下列步骤:准备一形成有介电层之半导体晶圆,介电层内设有通孔;将晶圆放置于沉积室内之热表面;藉热表面加热晶圆至初期温度;及沉积金属于晶圆上俾同时充填通孔及覆盖介电层之顶部表面,其中当晶圆在初期温度时即开始沉积金属,并在晶圆被加热到超过初期温度之目标温度期间持续进行沉积作业。10.如申请专利范围第9项之方法,其中金属系包括铝,钨,金及铜之一。11.如申请专利范围第9项之方法,其中金属系包括铝,初期温度系约为150℃目标温度约为350℃。12.如申请专利范围第9项之方法,其中放置晶圆于沉积室之步骤系包括在开始沉积步骤之前藉夹盘固定晶圆之步骤。13.如申请专利范围第9项之方法,其中另包括在沉积步骤进行期间,调整热表面之温度俾控制晶圆温度之步骤。14.如申请专利范围第9项之方法,其中另包括蚀刻在介电层之顶部表面上之金属俾形成金属线之步骤,这些金属线系电气地接至通孔。15.如申请专利范围第9项之方法,其中沉积步骤系于110秒内进行完毕。16.一种半导体装置之金属线之沉积方法,其包括下列步骤:准备一形成有介电层之半导体晶圆,介电层上设有通孔;藉夹盘将晶圆固定于沉积室之热表面;藉热表面预热晶圆一段初期时间;沉积金属于晶圆上俾充填通孔,其中当初期预热时间一过时即开始沉积金属,并在晶圆被加热到大于初期温度之目标温度期间,沉积步骤系持续进行。17.如申请专利范围第16项之方法,其中金属系包括铝,钨,金及铜之一。18.如申请专利范围第16项之方法,其中金属系包括铝,初期预热时间系介于约25秒至约30秒之间,及目标温度约为350℃。19.如申请专利范围第16项之方法,其中放置晶圆于沉积室之步骤系包括在开始沉积步骤之前藉夹盘固定晶圆之步骤。20.如申请专利范围第16项之方法,其中另包括在沉积步骤进行期间,调整热表面之温度俾控制晶圆温度之步骤。21.如申请专利范围第16项之方法,其中另包括蚀刻介电层之顶部表面上之金属俾形成金属线之步骤,这些金属线系电气地接至通孔内之金属。22.如申请专利范围第16项之方法,其中沉积步骤系于110秒内进行完毕。23.如申请专利范围第16项之方法,其中预热晶圆之步骤系包括在初期预热期间确定晶圆在沉积室内之位置。图式简单说明:第1图系示出依本发明形成金属线及接点之方法之制程图;第2图系示出依本发明使用之处理室之示意图;第3图系示出依本发明形成在介电层内用于沉积金属之通孔之局部断面图;第4图系第3图之晶圆之局部断面图,示出依本发明在单一沈积制程上沉积金属充填通孔;及第5图系示出依本发明溅射在晶圆之顶部表面上之金属之第4图之晶圆之局部断面图。 |
