| 主权项 |
1.一种电浆处理系统,其系用于处理半导体基体,特征在于包括:一电浆处理室,其具有一为室侧壁所限定之内部空间;一基体支座,置于该基体支座上之基体于内部空间内加以处理,室侧壁隔离在基体支座之周围外;一气体供应装置,其于基体处理期间,处理气体可经由该装置供至内部空间;一电源,其可于基体处理期间,将内部空间内之处理气体激励成电浆状态;一陶瓷垫片,支承于室侧壁与基体支座之周围之间;以及一加热器,藉由辐射加热来对垫片加热。2.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中加热器包括一埋设于一热辐射本体之电阻加热元件,此热辐射本体具有一藉一开放空间与垫片之外周隔开之热辐射表面。3.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中加热器包括一藉一开放空间隔离于垫片外周以外之电阻加热线圈。4.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其进一步包括一位于加热器与室侧壁之间之加热屏蔽。5.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片包括一单件陶瓷垫片或一组合瓷砖。6.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉一弹性体接合件黏着于一金属支承装置。7.如申请专利范围第6项之电浆处理系统,其中金属支承装置贴附于一热控构件,俾可自陶瓷垫片,经由一行经弹性体接合件及金属支承装置通至热控构件之热路径散热。8.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片包括一藉一弹性体黏着于室侧壁之组合瓷砖。9.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉一可弯曲金属支架支承,可弯曲金属支架藉一热控构件,俾可自陶瓷垫片,经由一行经可弯曲金属支架伸延至热控构件之热路径散热。10.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其进一步包括至少一支承加热器之弹性加热器支承装置。11.如申请专利范围第10项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉一包括一可弯曲金属支架之弹性支承构件支承,该可弯曲金属支架包含一内支架构件及一外支架构件,一弹性体接合件将陶瓷垫片黏接于内支架构件,内支架构件藉外支架构件支承,且外支架构件藉该室支承。12.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片包括复数个联锁SiC瓷砖或一单件SiC垫片。13.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉一包括内、外金属支架构件之弹性支承构件支承,其配置成在电浆处理系统操作期间,可允许调节施加于陶瓷垫片与支架构件上之不同热应力。14.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中内、外支架构件为铝支架构件。15.如申请专利范围第14项之电浆处理系统,其中外支架构件之一上部藉该室之一热控元件支承,外支架构件之一下部附接于内支架构件之一下部,且陶瓷垫片藉内支架构件支承。16.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉一可弯曲金属支架支承,可弯曲金属支架包含一连续上部及一分段下部。17.如申请专利范围第16项之电浆处理系统,其中可弯曲金属支架为筒形,且分段下部包括藉轴向伸延槽缝相互隔开之轴向伸延段部。18.如申请专利范围第13项之电浆处理系统,其中内、外金属支架构件为筒形,并包含连续上部及分段下部,分段下部包括藉轴向伸延槽缝相互隔开之轴向伸延段部。19.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片进一步包含一自陶瓷垫片之一下部向内伸延之陶瓷电浆屏蔽,该陶瓷电浆屏蔽包含多数通道,于基体处理期间,处理气体及反应副产品经由此等通道自该室之内部排出。20.一种以如申请专利范围第1项之电浆处理系统处理一基体之方法,其包含:将一基体导入至该电浆处理室之内部空间中,并于该基体支座上支承该基体;由气体供应装置导入处理气体至该内部空间;将该内部空间中的处理气体激励成电浆状态;以该电浆蚀刻该基体之一曝露表面;以及由该电浆处理室移除该基体。图式简单说明:图1显示本发明第一实施例之一电浆反应室,其中一支承于一弹性支架上之陶瓷垫片围绕一基体支座;图2显示图1,除去包含垫片之各种元件之电浆反应室;图3显示装配于图1之筒形垫片下缘之分段金属架细部;图4显示本发明一实施例之一加热器配置;以及图5显示本发明另一实施例之一加热器配置。 |
