发明名称 金属内连线之制造方法
摘要 一种金属内连线之制造方法,系在具有金属导线结构之基底上,形成具有暴露部分基底中之金属导线结构之第一开口之介电层,此介电层内更包括蚀刻终止层。接着,于基底上形成共形于第一开口表面之一披覆层后,移除第一开口底部之部分披覆层,以暴露第一开口底部之部分金属导线结构。之后,依序于第一开口中形成一共形的阻障层以及一金属层,且金属层填满第一开口。最后,于金属层上形成覆盖整个基底之一顶盖层,定义顶盖层、介电层以形成另一暴露部分基底之第二开口,以及移除第二开口所暴露之介电层以形成一空气间隙结构。
申请公布号 TW492144 申请公布日期 2002.06.21
申请号 TW090113651 申请日期 2001.06.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 叶名世;谢文益
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种金属内连线之制造方法,该方法包括:提供具有一金属导线结构之一基底;于该基底上形成一第一介电层;于该第一介电层上形成一第一蚀刻终止层;于该第一蚀刻终止层上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一第二蚀刻终止层;定义该第二蚀刻终止层、该第二介电层、该第一蚀刻终止层、该第一介电层以形成一第一开口,该第二开口暴露部分该基底中之该金属导线结构;于该第二蚀刻终止层上形成一披覆层,该披覆层共形于该第一开口之表面;移除该第一开口底部之部分该披覆层,以暴露部分该金属导线结构;依序于该第一开口中形成一共形的阻障层以及一金属层,其中该金属层填满该第一开口,且该披覆层之硬度较高于该金属层与该阻障层;于该基底上形成一顶盖层,该顶盖层覆盖整个基底;定义该顶盖层、该第二蚀刻终止层、该第二介电层、该第一蚀刻终止层、该第一介电层,以至少形成一第二开口,该第二开口暴露部分之该基底;以及移除该第二开口所裸露之该第一介电层与第二介电层,以形成一空气间隙结构。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该第一开口包括一双重金属镶嵌结构之金属镶嵌开口、一欲形成金属导线之沟渠、一欲形成插塞之介层窗开口、一接触窗开口以及任何欲形成镶嵌结构之开口其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该披覆层之材质系与该第一介电层与该第二介电层具有不同蚀刻选择比者。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该披覆层、该第一蚀刻终止层与该第二蚀刻终止层之材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该第一开口底部之部分该披覆层之方法包括非等向性蚀刻法。6.如申请专利范围第5项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该第一开口底部之部分该披覆层之方法包括乾式蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该金属层之材质包括金属铜。8.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质系选自聚亚芳香基醚(SiLK)、氟化聚亚芳香基醚(FLARE)、氢化矽倍半氧化物、氟化烃等所组之族群。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中形成该第一介电层与第二介电层之方法包括旋转涂布法。10.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该第一介电层与该第二介电层之方法系选自臭氧或含氧电浆所组之族群之其中之一。11.一种金属内连线之制造方法,该方法包括:(a)提供具有一第一金属导线结构之一基底;(b)依序于该基底上形成一第一介电层、一第一蚀刻终止层;一第二介电层以及一第二蚀刻终止层;(c)定义该第二蚀刻终止层、该第二介电层、该第一蚀刻终止层、该第一介电层以形成一第一开口,该第一开口暴露部分该基底中之该第一金属导线结构;(d)于该第二蚀刻终止层上形成一披覆层,该披覆层共形于该第一开口表面;(e)移除该第一开口底部之部分该披覆层,以暴露部分该第一金属导线结构;(f)依序于该第一开口中形成一共形的阻障层以及一金属层,其中该金属层填满该第1开口,且该披覆层之硬度较高于该金属层与该阻障层;(g)于该基底上形成一顶盖层,该顶盖层覆盖整个基底,以完成一第二金属导线结构;(h)重复上述步骤(b)至步骤(g)于该基底上形成复数个第三金属导线结构,其中该第一金属导线结构、该第二金属导线结构以及该些第三金属导线结构电性连接;(i)定义该些顶盖层、该些第二蚀刻终止层、该些第二介电层、该些第一蚀刻终止层以及该些第一介电层,以至少形成一第二开口,该第二开口暴露部分之该基底;以及(j)移除该第二开口所暴露之该些第二介电层以及该些第一介电层,以形成一空气间隙结构。12.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中该第一开口包括一双重金属镶嵌结构之金属镶嵌开口、一欲形成金属导线之沟渠、一欲形成插塞之介层窗开口、一接触窗开口以及任何欲形成镶嵌结构之开口其中之一。13.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中该披覆层之材质系与该第一介电层与该第二介电层具有不同蚀刻选择比者。14.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中该披覆层、该第一蚀刻终止层与该第二蚀刻终止层之材质包括氮化矽。15.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质系选自聚亚芳香基醚(SiLK)、氟化聚亚芳香基醚(FLARE)、氢化矽倍半氧化物、氟化烃等所组之族群。16.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中形成该第一介电层与第二介电层之方法包括旋转涂布法。17.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该些第一介电层与该些第二介电层之方法系选自臭氧或含氧电浆所组织族群之其中之一。18.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该第一开口底部之部分该披覆层之方法包括非等向性蚀刻法。19.如申请专利范围第18项所述之金属内连线之制造方法,其中移除该第一开口底部之部分该披覆层之方法包括乾式蚀刻法。20.如申请专利范围第11项所述之金属内连线之制造方法,其中该金属层之材质包括金属铜。图式简单说明:第1A图至第1H图是依照本发明一较佳实施例一种金属内连线之制造方法示意图。第2A图至第2B图是依照本发明一较佳实施例一种多重金属内连线之制造方法示意图。
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