| 主权项 |
1.一种MOS半导体电晶体制造方法,该电晶体包括一种在半导体基板上与在半导体基板上形成但夹着闸极绝缘膜之闸极的表面上所形成的第一氧化膜,在第一氧化膜上形成之氮化膜以及形成在闸极侧面但夹着第一氧化膜和氮化膜之第二氧化膜的侧壁隔层,该方法包含以下步骤:在氮化膜上形成一在装置形成区具有开口之光罩;以闸极、侧壁隔层和光罩为遮蔽,在高浓度下将杂质离子经由氮化膜和第一氧化膜植入半导体基板;藉由湿蚀法从装置形成区选择性除去侧壁隔层;以闸极与光罩为遮蔽,在低浓度下将杂质离子构入半导体基板而形成一种LDD结构;移除光罩;以及热处理所做成之半导体基板。2.如申请专利范围第1项之方法,其中以经蚀刻第二氧化膜对氮化膜之选择比为100或更高。3.如申请专利范围第1项之方法,其中当半导体基板与闸极由矽材形成时,第一氧化膜是一种热氧化膜。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第二氧化膜藉由化学气相沉积法形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中氮化膜之厚度在5至10奈米之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中第一氧化膜的厚度在5至10奈米之间。图式简单说明:图示1(a)至1(d)乃为按照本发明之实例来说明一种制造MOS半导体电晶体方法之截面图解;以及图示2(a)至2(d)乃为说明一种制造MOS半导体电晶体之习知方法的截面图解; |
