光罩修补之方法

摘要

一种光罩修补之方法。本发明之方法系采用双聚焦离子束(Dual Focused Ion Beam)来进行光罩修补，其中此双聚焦离子束包括一正电聚焦离子束以及一负电聚焦离子束。在光罩修补的制程中，可利用负电聚焦离子束进行光罩成像，而利用正电聚焦离子束进行光罩修补，然而，反之亦然。由于光罩成像与光罩修补所运用之离子束的电性相反，因此光罩缺陷周围之部分正电荷与负电荷会中和，而降低光罩修补时之电荷效应(Charging Effect)。

主权项

1.一种光罩修补之方法,至少包括:提供一正电离子束以及一负电离子束;以该负电离子束进行一光罩图案的成像,其中该光罩图案上具有复数个缺陷;以及以该正电离子束修补该些缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该正电离子束系采用一镓离子(Ga+)。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该镓离子系由一正电离子源所提供。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该负电离子束系采用一氧离子(O-)。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该氧离子系由一负电浆离子源所提供。6.一种光罩修补之方法,至少包括:提供一正电离子束以及一负电离子束;以该正电离子束进行一光罩图案的成像,其中该光罩图案上具有复数个缺陷;以及以该负电离子束修补该些缺陷。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该正电离子束系采用一镓离子(Ga+)。8.如申请专利范围第7项所述之方法其中该镓离子系由一正电离子源所提供。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该负电离子束系采用一氧离子(O-)。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧离子系由一负电浆离子源所提供。11.一种光罩修补之方法,至少包括:提供一镓离子(Ga+)束以及一氧离子(O-)束;以该氧离子束进行一光罩图案的成像,其中该光罩图案上具有复数个缺陷;以及以该镓离子束修补该些缺陷。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该镓离子束系由一镓离子源所产生。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该氧离子系由一负电浆离子源所提供。14.一种光罩修补之方法,至少包括:提供一镓离子(Ga+)束以及一氧离子(O-)束;以该镓离子束进行一光罩图案之成像,其中该光罩图案上具有复数个缺陷;以及以该氧离子束修补该些缺陷。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该镓离子束系由一镓离子源所产生。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该氧离子系由一负电浆离子源所提供。图式简单说明:第1图为绘示本发明之一较佳实施例之具有双聚焦离子束的光罩修补装置之设备示意图。