| 摘要 |
<p>본 발명은 칼라필터어레이 이후의 포토레지스트 재질의 층간에서 발생되는 결함을 용이하게 분석할 수 있는 이미지센서의 결함 분석 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로서, 이를 위한 본 발명은 소정 공정이 완료된 기판의 보호막 상에 포토레지스트 재질의 칼라필터어레이, OCL층 및 마이크로렌즈가 차례로 적층된 이미지센서의 샘플 웨이퍼를 준비하는 제1단계; 그 일면에 양면테이프가 접착된 더미웨이퍼를 준비하는 제2단계; 상기 양면테이프의 타면에 상기 샘플 웨이퍼의 마이크로렌즈가 형성된 면을 페이스트시키는 제3단계; 상기 샘플 웨이퍼를 불산 용액에 담궈 상기 보호막을 식각하여 상기 칼라필터어레이의 뒷면을 드러내는 제4단계; 결함이 존재하는 부위까지 상기 칼라필터어레이의 뒷면에서부터 반응성이온식각을 실시하는 제5단계; 및 결함을 관찰하는 제6단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 여기서 결함이 칼라필터어레이 뒷면에 바로 존재하지 않고 그 내부에 존재하는 경우 또는 OCL층과 마이크로렌즈간의 계면에 존재하는 경우 이를 드러내기 위해서는 상기 칼라필터어레이 뒷면에서부터 식각을 실시하여야 한다.</p> |
