| 主权项 |
1.一种热处理基体的方法,诸如晶圆,包括将其送入热处理装置,其中热处理装置包括两个实质上平坦的部件,与晶圆的送入位置平行,并将晶圆容纳于其间,其中第一部件被加热,且是在第一高温,在晶圆两侧以每一侧供应气流以实施热处理,其特征是第二部件以冷却装置主动地冷却,且是在第二低温,其中此第二低温低于70℃,且在处理期间,晶圆与两部件至少其中之一间的热传导性被控制,以使在一段既定时间,晶圆可取得较接近第一高温的温度,并接着取得较接近第二低温的温度。2.如申请专利范围第1项的方法,其特征是晶圆与两部件至少其中之一间的热传控制,是控制供应气流至少其中之一的特性。3.如申请专利范围第1项的方法,其特征是,在处理期间中的至少部分时间,晶圆是因所供应的气体而保持在漂浮状态。4.如申请专利范围第1项的方法,其特征是,在处理期间中的至少部分时间,晶圆与两部件直接面对晶圆之表面间的距离,至少其中一是1mm或更少。5.如申请专利范围第1至3项任意一项的方法,其特征是,在处理期间,控制至少其中之一气流之热传导特性的方法是改变该气流的成分。6.如申请专利范围第5项的方法,其中这些气流包括氮气及/或氦气。7.如申请专利范围第3项的方法,其特征是在处理期间,控制气流的大小,以使晶圆的位置变得较接近两部件其中之一。8.如申请专利范围第7项的方法,其特征是在处理期间控制气流的流速,以使晶圆先较靠近在第二低温的第二部件,接着靠近在第一高温的第一部件,最后又再度靠近第二低温的第二部件。9.一种热处理装置,包括实质上平坦相对且与晶圆平行的两部件,晶圆容纳于该两部件之间,其中该第一部件配置加热装置,以将该第一部件带至少第一高温,其中,两部件每一个内都有供应气体的通道,开口面向两部件间的区域,其特征是,第二部件配置冷却装置以将此第二部件保持在第二低温,其中此温度低于70℃。10.如申请专利范围第9项的热处理装置,其特征是热处理装置配置有处理期间用以控制晶圆与该两部件至少中之一间之热传导性的装置。11.如申请专利范围第10项的热处理装置,其特征是处理期间用以控制晶圆与该两部件至少中之一间之热传导性的装置包括连接到该两部件至少其中之一,用以连续供应不同气体的装置。12.如申请专利范围第9.10或11项的热处理装置,其特征是冷却第二部件的该装置包括Peltier冷却元件。图式简单说明:图1a至1f是按照第一种方法对晶圆上之铜层退火的概图;图2a至2c是按照第二种方法处理的概图;图3是按图1之结构之温度路径与时间的函数。 |
