发明名称 焊接凸块的制造方法
摘要 本发明提供一种焊接凸块的制造方法,其方法系在已形成焊垫和护层的晶圆上,依序形成凸块底层金属层和接合物屏障层,其中此接合物屏障层系用以定义接合区,其暴露出大致对应于焊垫之凸块底层金属层的表面,按着于接合物屏障层上形成具有开口的光阻图案层,并在开口中填入接合物后,剥除光阻图案层,随后进行回焊制程,使接合物转为于接合区与凸块底层金属层相接合的焊接凸块,然后剥除未被焊接凸块所覆盖之接合物屏障层和凸块底层金属层。
申请公布号 TW497372 申请公布日期 2002.08.01
申请号 TW090106364 申请日期 2001.03.19
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王忠裕;曹佩华;黄传德
分类号 H05K3/34 主分类号 H05K3/34
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种焊接凸块的制造方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上已形成一焊垫;于该晶圆上覆盖一护层,该护层大致暴露出该焊垫;于该焊垫和该护层上形成一凸块底层金属层;于该凸块底层金属层上形成一接合物屏障层,该接合物屏障层暴露出大致对应于该焊垫之该凸块底层金属层做为一接合区;于该接合物屏障层上形成一光阻图案层,该光阻图案层具有一开口,该开口至少暴露出该接合区;于该光阻图案层中之该开口中填入一接合物;剥除该光阻图案层;进行一回焊制程,使该接合物转为一焊接凸块,该焊接凸块于该接合区与该凸块底层金属层相接合;以及剥除未被该焊接凸块所覆盖之该接合物屏障层和该凸块底层金属层。2.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该凸块底层金属层为Ti/CrCu/Cu。3.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该凸块底层金属层为Al/NiV/Cu。4.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物为锡铅。5.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为钛。6.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为铬。7.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为铝。8.如申请专利范围第1项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的厚度至少为500埃。9.一种焊接凸块的制造方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上已形成一焊垫;于该晶圆上覆盖一护层,该护层大致暴露出该焊垫;于该焊垫和该护层上形成一凸块底层金属层;于该凸块底层金属层上形成一接合物屏障层,该接合物屏障层系用以定义出一接合区,以暴露出大致对应于该焊垫之该凸块底层金属层;于该接合物屏障层上形成一光阻图案层,该光阻图案层具有一开口,该开口至少暴露出该接合区,且该开口的容积大致为将形成之接合物的体积;于该光阻图案层中之该开口中填入一接合物;剥除该光阻图案层;进行一回焊制程,使该接合物成为仅于该接合区与该凸块底层金属层相接合之一焊接凸块;以及剥除未被该焊接凸块所覆盖之该接合物屏障层和该凸块底层金属层。10.如申请专利范围第9项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物为锡铅。11.如申请专利范围第10项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为钛。12.如申请专利范围第10项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为铬。13.如申请专利范围第10项所述之焊接凸块的制造方法,其中该接合物屏障层的材质为铝。图式简单说明:第1A图至第1F图系绘示传统之焊接凸块制程的流程示意图。第2A图至第2G图系绘示根据本发明一较佳实施例之一种焊接凸块制程的流程示意图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号