| 主权项 |
1.一种半导体装置,系于半导体元件以绝缘树脂封装为一体,且在背面露出上述半导体元件之压焊电极与连接之焊垫,及露出于上述半导体元件背面之以热结合的散热用电极之半导体装置,在上述散热用电极之露出部,配设较上述焊垫之背面为突出的金属板者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,系将上述焊垫背面与上述散热电极背面,配置于同一实质平面者。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,上述半导体元件与上述散热电极,系以绝缘材料或导电材料予以固定者。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,上述散热电极与上述金属板,系以绝缘材料或导电材料予以固定者。5.如申请专利范围第3项之半导体装置,上述散热电与上述金属板,系以同一材料形成为一体者。6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,系使上述绝缘性树脂背面突出于上述焊垫背面者。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,系以上述焊垫侧面与由上述焊垫侧面延伸之上述绝缘性树脂背面,系描绘同一曲线者。8.一种半导体模组,系具有:将设有导电图案的第1支持构件;与上述导电图案予以连接的半导体元件.以绝缘性树脂封装为一体,且于背面,露出与上述半导体元件之压焊电极连接的焊垫,及于上述半导体元件背面,露出以热结合的散热用电极,之半导体装置的半导体模组中,该设于上述第1支持构件上之导电图案,系与上述焊垫连接,对应于上述散热用电极之上述第1支持构件设有开口部,而于上述开口部设置有与上述散热用电极固定之金属板者。9.如申请专利范围第8项之半导体模组,系于上述第1支持构件背面,贴着固定上述金属板之第2支持构件者。10.如申请专利范围第8或9项之半导体模组,该上述散热电极与上述金属板,系以同一材料形成为一体者。11.如申请专利范围第9项之半导体模组,系于对应上述金属板的上述第2支持构件,设置由导电材料构成之固定板,且将上述固定板与上述金属板予以热结合者。12.如申请专利范围第11项之半导体模组,上述金属板系以Cu为材料,而上述第2支持构件线以Al为材料,且系将形成于上述第2支持构件之Cu为材料的镀膜作成上述固定板者。13.如申请专利范围第8或9项之半导体模组,系使上述绝缘性树脂背面突出于上述于焊垫背面之半导体模组者。14.如申请专利范围第8项之半导体模组,系以上述垫侧面与由上述焊垫侧面延伸之上述绝缘性树脂背面,系描绘同一曲线者。15.如申请专利范围第8或9项之半导体模组,其中,上述半导体元件为硬碟的读.写放大开IC者。16.一种半导体装置,系于将半导体元件以绝缘性树脂予以一体封装,且于背面露出,与上述半导体元件之压焊电极连接的焊垫,及介由与上述焊垫为一体的配线延伸的外部连接电极,以及,与上述半导体元件背面予以热结合的散热用电极的半导体装置,系于上述散热用电极露出部,设置较上述外部连接电极的背面突出的金属板者。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,系将上述外部连接电极背面与上述散热电极背面,配置于同一实质平面者。18.如申请专利范围第16或17项之半导体装置,其中,上述半导体元件与上述散热电极,系以绝缘材料或导电材料予以固定者。19.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中,上述散热电极与上述金属板,系以绝缘材料或导电材料予以固定者。20.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中,上述散热电极与上述金属板系以同一材料形成为一体者。21.如申请专利范围第16或17项之半导体装置,系使上述绝缘性树脂背面突出于上述外部连接电极背面者。22.如申请专利范围第21项之半导体装置,系以上述外部连接电极侧面与由上述外部连接电极侧面延伸之上述绝缘性树脂背面,系描绘同一曲线者。23.一种半导体模组,系具有:设导电图案的第1支持构件,与上述导电型样予以连接的半导体元件,以绝缘性树脂封装为一体,且于背面,露出与上述半导体元件之压焊电极连接的焊垫及于上述半导体元件背面,以热结合的散热用电极之半导体装置的半导体模组,系将设于上述第1支持构件上之导电图案,与上述外部连接电极连接,且于对应上述散热用电极的上述第1支持构件上设开口部,而于上述开口部设置固定于上述散热用电极的金属板者。24.如申请专利范围第23项之半导体模组,系于上述第1支持构件背面,贴着固定上述金属板之第2支持构件者。25.如申请专利范围第23或24项之半导体模组,其中,上述散热电极与上述金属板系以同一材料形成为一体者。26.如申请专利范围第24项之半导体模组,其中,系于对应上述金属板的上述第2支持构件,设置由导电材料构成之固定板,而将于上述固定板与上述金属板予以热结合者。27.如申请专利范围第26项之半导体模组,其中,上述金属板系以Cu为材料.而上述第2支持构件系以Al为材料,其系将形成于上述第2支持构件之Cu为材料的镀膜作成上述固定板者。28.如申请专利范围第23或24项之半导体模组,系使上述绝缘性接合物背面突出于上述于外部连接电极背面者。29.如申请专利范围第28项之半导体模组,其中,系以上述外部连接电极侧面与由上述外部连接电极侧面延伸之上述绝缘性接合物背面,系描绘同一曲线者。30.如申请专利范围第23或24项之半导体组模,其中,上述半导体元件为硬碟的读.写放大用IC者。图式简单说明:第1图(a)本发明半导体模组的平面图。第1图(b)本发明半导体模组的剖面图。第2图(a)本发明半导体装置的平面图。第2图(b)本发明半导体装置的剖面图。第3图(a)本发明半导体装置另一形态的平面图。第3图(b)本发明半导体装置另一形态的剖面图。第4图本发明半导体装置的制造方法说明图(1)。第5图本发明半导体装置的制造方法说明图(2)。第6图本发明半导体装置的制造方法说明图(3)。第7图本发明半导体装置的制造方法说明图(4)。第8图本发明半导体装置的制造方法说明图(5)。第9图本发明半导体模组的说明图。第10图本发明半导体装置的制造方法说明图(1)。第11图本发明半导体装置的装造方法说明图(2)。第12图本发明半导体装置的装造方法说明图(3)。第13图(a)及(b)本发明半导体装置的说明图。第14图硬碟的说明图。第15图(a)采用于第14图之习用半导体模组的平面图。第15图(b)采用于第14图之习用半导体模组的剖面图。 |
