| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,其特征在于具备:处理容器,其系形成为有底筒状,于其内部具有载置被处理体之载置台者;盖体,其系气密的覆盖此处理容器之上部开口,由介电体所成者;微波供给装置,其系供给微波者;圆筒导波管,其系一端侧连接于此微波供给装置,自此微波供给装置向前述盖体延伸,于内部具有导波空间者;辐射导波箱,其系连接于此圆筒导波管之另一端,自此圆筒导波管之另一端向半径方向外侧成凸缘状扩张后,朝向前述盖体作为侧壁向下侧延伸,于其内部具有导波空间者;及缝隙天线,其系覆盖此辐射导波箱之下端开口,具有复数之缝隙,沿前述盖体而配设者。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中于前述辐射导波箱内部中,于与前述缝隙天线之前述圆筒导波管的另一端开口成相对向的部分,设有一泵,其系由向前述圆筒导波管突出之导体所构成者。3.如申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中前述泵系成略圆锥形者。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电浆处理装置,其中自前述微波供给装置,通过前述圆筒导波管,传送至前述辐射导波箱的微波,系为TM01模式者。5.如申专请专利范围第1至3项中任一项之电浆处理装置,其中自前述微波供给装置,通过前述圆筒导波管,传送至前述辐射导波箱的微波,系为TE11模式者。6.如申请专利范围第5项之电浆处理装置,其中更具备圆偏振波变换器,其系设于前述微波供给装置及前述辐射导波箱之间的前述圆筒导波管,将前述微波供给装置所供给之TE11模式的微波,绕前述圆筒导波管之轴线旋转作为圆偏振波,传送至前述辐射导波箱者。7.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中可述缝隙天线系为放射型之天线者。8.如申请专利范围第7项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置成同心圆状者。9.如申请专利范围第7项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置成漩涡状者。10.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线系为泄漏型之天线者。11.如申请专利范围第10项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置成同心圆状者12.如申请专利范围第10项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置成漩涡状者。13.如申请专利范围第10项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置于多角形之周上者。14.如申请专利范围第10项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之缝隙系配置于放射线上者。15.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中于前述缝隙天线与前述处理容器之间的周边部,配置吸收高频之吸收材者。16.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线系由介电体所成之柱予以支撑者。17.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中于前述辐射导波箱内部,充填有介电体者。18.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中于前述辐射导波箱内部的外周缘部,配置吸收高频之吸收材者。19.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中具备:矩形导波管,其系于前述微波供给装置及前述圆筒导波管之间,自前述微波供给装置延伸者;及圆形矩形变换器,其系设于此矩形导波管及前述圆筒导波管之间者;于此圆形矩形变换器及前述圆偏振波变换器之间的前述圆筒导波管,连接有筒状之假负载,其系于另一端具有微波吸收体者。20.如申请专利范围第19项之电浆处理装置,其中于前述假负载之对前述圆筒导波管的连接部,设有隔间壁,其系将前述圆筒导波管之内部及前述假负载之内部予以隔间者;于此隔间壁,形成有缝隙,其系与前述圆筒导波管之轴方向平行者。21.如申请专利范围第19项之电浆处理装置,其中于前述圆筒导波管及前述圆形矩形变换器之间的导波管内,设有棒状之反射体,其系由架设成与圆筒导波管之轴线略成直交,且与前述假负载之延伸方向略成垂直之方向的导体所构成者。22.如申请专利范围第21项之电浆处理装置,其中前述反射体系为板状体,其系沿着包含前述圆筒导波管之轴线的平面者。23.如申请专利范围第19项之电浆处理装置,其中前述假负载之轴线系位于以下位置,即自前述反射体向前述圆偏振波变换器方向,偏离由前述反射体所反射之驻波之管内波长的仅1/4波长的位置者。24.如申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中于前述圆偏振波变换器及前述辐射导波箱之间的前述圆筒导波管上,设有调整器,其系藉由调整导波管内之阻抗,将自前述辐射导波箱侧反射回来之微波,向辐射导波箱侧予以反射者。25.如申请专利范围第24项之电浆处理装置,其中前述调整器具备:复数之短线,其系设置成可调整自前述圆筒导波管之内周壁向半径方向内侧的突出量者;短线驱动装置,其系将此短线在半径方向驱动者;检波器,其系设于前述短线与前述圆偏振波变换器之间的前述圆筒导波管内侧,测定前述圆筒导波管内之微波的电磁场强度者;及控制装置,其系基于此检波器所测定之微波的电磁场强度,驱动前述短线驱动装置,使前述短线之半径方向位置变化,而调整阻抗,控制使得自前述辐射导波箱侧回来的微波向前述辐射导波管侧反射者。26.如申请专利范围第25项之电浆处理装置,其中前述短线系于前述圆筒导波管内周面,于周方向等间隔设4个、于轴方向设3个,合计共设12个者。27.一种电浆处理方法,其系用于具备下述构件之电浆处理装置:处理容器;其系于内部收容被处理体,将上部开口以由介电体所构成之盖体予以覆盖者;微波供给装置,其系供给微波者;圆筒导波管,其系一端侧连接于此微波供结装置,自此微波供给装置向前述盖体延伸,于内部具有导波空间者;辐射导波箱,其系连接于此圆筒导波管之另一端,自此圆筒导波管的另一端向半径方向外侧扩张后,向前述盖体朝下作为侧壁向延伸,于其内部具有导波空间者;缝隙天线,其系覆盖此辐射导波箱之下端开口者;及圆偏振波变换器,其系设于前述微波供给装置及前述辐射导波箱之间的前述圆筒导波管,使前述微波供给装置所供给之TE11模式的微波,绕前述圆筒导波管之轴线旋转,作为圆偏振波传送至前述辐射导波箱者;其特微在于具备以下步骤:使前述微波供给装置所供给之TE11模式的微波,绕前述圆筒导波管之轴线旋转,作为圆偏振波向前述辐射导波箱传送之步骤;监视自前述辐射导波箱侧反射回来的微波之步骤;基于此监视结果,调整反射波之步骤;及依此调整,于前述处理容器内产生均一的电浆之步骤。图式简单说明:图1为本发明之第1实施形态之电浆处理装置的纵剖面图。图2为图1中沿Ⅱ-Ⅱ线之剖面图。图3为放射型缝隙天线之一例的表示图。图4为放射型缝隙天线之其他例的表示图。图5为泄漏型缝隙天线之一例的表示图。图6为泄漏型缝隙天线之其他例的表示图。图7为泄漏型缝隙天线之又一其他例的表示图。图8为泄漏型缝隙天线之再一其他例的表示图。图9为圆筒导波管与圆盘状辐射导波箱之连接部之TE模式之微波的传送状态剖面图。图10为TE模式微波的传送状态平面图。图11为本发明之第2实施形态考虑之问题点表示图。图12为本发明之第2实施形态电浆处理装置之一部分切开之正面图。图13为第2实施形态之电浆处理装置之一部分切开之侧面图。图14为图12所示电浆处理装置之假负载(dummy-load)功能表示图。图15为于图12之电浆处理装置中,不使其发挥假负载功能之状态下,离子饱和电流之分布表示图。图16为于图12之电浆处理装置中,使其发挥假负载功能之状态下,离子饱和电流之分布表示图。图17为本发明之第3实施形态之电浆处理装置之一部分切开之正面图。图18为习知电浆处理装置之纵剖面图。 |
