发明名称 一种闪存芯片的读写方法
摘要 一种闪存芯片的读写方法,闪存芯片内部的各存储块分有数据区和控制区,控制区划分为索引区、逻辑地址指针区和状态标识区,根据索引区、逻辑地址指针区和状态标识区所表述的信息,对闪存的各存储块的数据区进行擦除、读、写和数据更新操作。本发明根据存储块的状态进行擦除、读、写操作,将闪存的写入操作与擦除操作分开,提高整体的读写速度,使得对闪存中各个存储块的写入操作的频率基本一致,延长闪存盘的寿命。
申请公布号 CN1362708A 申请公布日期 2002.08.07
申请号 CN01100002.3 申请日期 2001.01.02
申请人 吴秀林;岳京星 发明人 岳京星;吴秀林
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 刘芳
主权项 1、一种闪存芯片的读写方法,其特征在于:闪存芯片内部的各存储块分有数据区和控制区,控制区划分为索引区、逻辑地址指针区和状态标识区,根据索引区、逻辑地址指针区和状态标识区所表述的信息,对闪存的各存储块的数据区进行擦除、读、写和数据更新操作。
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