发明名称 | 一种闪存芯片的读写方法 | ||
摘要 | 一种闪存芯片的读写方法,闪存芯片内部的各存储块分有数据区和控制区,控制区划分为索引区、逻辑地址指针区和状态标识区,根据索引区、逻辑地址指针区和状态标识区所表述的信息,对闪存的各存储块的数据区进行擦除、读、写和数据更新操作。本发明根据存储块的状态进行擦除、读、写操作,将闪存的写入操作与擦除操作分开,提高整体的读写速度,使得对闪存中各个存储块的写入操作的频率基本一致,延长闪存盘的寿命。 | ||
申请公布号 | CN1362708A | 申请公布日期 | 2002.08.07 |
申请号 | CN01100002.3 | 申请日期 | 2001.01.02 |
申请人 | 吴秀林;岳京星 | 发明人 | 岳京星;吴秀林 |
分类号 | G11C7/00 | 主分类号 | G11C7/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
主权项 | 1、一种闪存芯片的读写方法,其特征在于:闪存芯片内部的各存储块分有数据区和控制区,控制区划分为索引区、逻辑地址指针区和状态标识区,根据索引区、逻辑地址指针区和状态标识区所表述的信息,对闪存的各存储块的数据区进行擦除、读、写和数据更新操作。 | ||
地址 | 100029北京市朝阳区北四环中路33号 |